Малая толщина - пленка
Cтраница 2
Учитывая малую толщину пленки воды по сравнению с ее длиной и малый радиус струи по сравнению с ее длиной, представляется возможным рассматривать их как неограниченную пластину и бесконечный цилиндр. [16]
 |
Действие сил сжатия и прилипания в лакокрасочной пленке. [17] |
При малой толщине пленки силы сцепления с металлом в состоянии значительно воспрепятствовать концентрации сил сжатия, действующих вдоль поверхности металла. Поэтому в тонкой пленке не возникает значительных напряжений. С увеличением толщины лакокрасочной пленки силы прилипания уже не могут оказать достаточного влияния на уменьшение сил сжатия пленки, особенно в наружной части ее. В результате этого в пленке возникают значительные внутренние напряжения. Это приводит к тому, что в пленке образуются трещины или ослабляются силы сцепления с металлом. [18]
В силу малой толщины пленки ее течение можно считать плоским, даже если поверхность искривлена по нормали к оси z ( при течении внутри вертикальных труб и т.п.): толщина пленки мала в сравнении с радиусом кривизны. [19]
Несмотря на малую толщину пленки сырья на поверхности коксования, измеряемую десятыми долями миллиметра, на стадии активного термического разложения, сопровождающегося бурным выделением паро-газовых продуктов разложения, происходит вспенивание сырья. Чем больше скорость нагревания, тем выше скорость выделения летучих и тем в большей степени оно вспенивается. Чем интенсивнее было вспенивание пленки, тем меньше она уплотняется в период замедления скорости выделения летучих до потери подвижности остатка и тем большую пористость и меньшую механическую прочность приобретает кокс. Поэтому на начальном участке обогреваемой зоны скорость нагревания не должна быть выше определенного предела. Соответственно на этом участке должен поддерживаться определенный уровень температур. [20]
Несмотря на малую толщину пленки геля кремневой кислоты, она уже в начальный период насыщения грунта раствором обеспечивает сохранность его естественного состояния. [21]
Обычно, учитывая малую толщину пленки, ее течение даже на искривленных поверхностях ( трубах, насадках) рассматривают как плоское. [22]
Малые площади соединений и малая толщина пленок требуют локализации нагрева при одностороннем расположении электродов. Инструмент ( рис. 3.11) представляет собой два электрода с шириной рабочей части ( торца) каждого электрода 0 1 мм, разделенных изолирующей прослойкой толщиной порядка 0 05 мм. [23]
Этот закон несправедлив для малых толщин пленок ( до 0 01 - 0 02 мкм), когда проявляется хемосорбция. [24]
Таким образом, при малой толщине пленки скорость роста пленки обусловливается кристаллохимическим превращением. [25]
В дифференциальном уравнении (6.36) ввиду малой толщины пленки опущены производные скорости вдоль поверхности. [26]
Особенностями микроконтактирования проводников с пленками являются малая толщина пленки, большое соотношение соединяемых материалов ( порядка 1: 100), невысокая прочность пленки и прочность ее сцепления с подложкой, незначительные размеры контактных площадок. [27]
Как видно из рис. 2.29, для малых толщин пленок отжиг резко уменьшает коэффициент термо - ЭДС. Так для пленок с толщиной d 0 15 мкм вне зависимости от исходных свойств значение а после отжига падает до 80 мкВ / К. Увеличение толщины пленок ослабляет влияние отжига на а; уже для пленок толщиной d 0 7 мкм а после отжига на воздухе практически не меняется. Более того, для малых толщин пленок ( d 0 2 мкм) отжиг на воздухе приводит к значительному изменению температурных зависимостей кинетических эффектов в интервале 100 - 300 К. Для толстых пленок после отжига на воздухе в течение 10 ч при Готж - 315 С концентрация носителей практически не меняется. В то же время удельная электропроводность а по сравнению с аисх уменьшается во всем температурном интервале, причем величина Ъ Оотж / исх практически не зависит от температуры. Такое поведение кинетических эффектов может быть вызвано рядом причин: образованием потенциальных барьег ров на граница блоков ( зерен для поликристалзн. & ских пленок на полиимиде), по которым преимущественно диффундирует кислород; появлением в объеме пленки за счет проникновения кислорода дополнительных центров рассеяния носителей заряда, приводящих к уменьшению их подвижности. Однако в связи с тем, что для этих пленок после отжига зависимости ( Т) и Q ( Т), наиболее чувствительные к изменению параметра рассеяния г ( см. гл. Г-8, s в интервале 100 - 300 К изменяется от 1 до 1 8) практически не меняются, преобладающим механизмом рассеяния в этом интервале температур по-прежнему остается рассеяние на акустических фононах ( см. далее разд. [28]
Как видно из рис. 2.29, для малых толщин пленок отжиг резко уменьшает коэффициент термо - ЭДС. Так для пленок с толщиной d ОД5 мкм вне зависимости от исходных свойств значение а после отжига падает до 80 мкВ / К. Увеличение толщины пленок ослабляет влияние отжига на а; уже для пленок толщиной d 0 7 мкм а после отжига на воздухе практически не меняется. В то же время а после отжига уменьшается для всех исследованных образцов, при этом чем тоньше пленки, тем сильнее уменьшается а. Более того, для малых толщин пленом ( d 0 2 мкм) отжиг на воздухе приводит к значительному изменению температурных зависимостей кинетических эффектов в интервале 100 - 300 К. Для толстых пленок после отжига на воздухе в течение 10 ч при Г0тж - 315 С концентрация носителей практически не меняется. В то же время удельная электропроводность а по сравнению с сгисх уменьшается во всем температурном интервале, причем величина Ъ о ж / о исх практически не зависит от температуры. Такое поведение кинетических эффектов может быть вызвано рядом причин: образованием потенциальных барьвг ров на граница блоков ( зерен для поликристалжшаских пленок на полиимиде), по которым преимущественно диффундирует кислород; появлением в объеме пленки за счет проникновения кислорода дополнительных центров рассеяния носителей заряда, приводящих к уменьшению их подвижности. Однако в связи с тем, что для этих пленок после отжига зависимости ( Т) и Q ( Г), наиболее чувствительные к изменению параметра рассеяния г ( см. гл. T - s, s в интервале 100 - 300 К изменяется от 1 до 1 8) практически не меняются, преобладающим механизмом рассеяния в этом интервале температур по-прежнему остается рассеяние на акустических фононах ( см. далее разд. [29]
 |
Зависимость разрушающего напряжения при растяжении. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5