Cтраница 3
Выдержка после каждого слоя - 30 мин, сушка - 48 ч при 20 2 С. Общая толщина пленки должна быть 50 - 75 мкм. [31]
По методу, предложенному Моттом и Кабрера [1] и использованному Родином [2], для каждого опыта окисления была рассчитана предельная толщина пленки XL Эта толщина была выбрана таким образом, что скорость роста окисла оказалась равной 10 - 13 см / сек, или около одного монослоя в день. Это было определено экстраполяцией кривьих скоростей ( рис. 1) к точке, соответствующей предельной толщине пленки. Общая толщина исходной пленки равна сумме толщин пленок, образованных в предыдущих окислениях. [32]
Тс равновесная поверхностная концентрация устанавливается практически мгновенно. Экспериментально изменение концентрации водного раствора в поверхностном слое пленки ПВС ( толщина слоя составляла 1 % от общей толщины пленки) определено в работе [122] методом многократного нарушенного полного внутреннего отражения в ИК-области. Выбор такой толщины поверхностного слоя является условным и зависит в первую очередь от требований, предъявляемых к точности эксперимента. Так как в течение некоторого времени в этом слое имеется градиент концентраций диффузанта, то для расчета используется средняя концентрация Ct. Значения т, как было найдено в [122], зависели от структуры полимера. [33]
Лп, оба топливных потока очень тесно взаимодействуют и их нельзя рассматривать отдельно, что подтверждается и экспериментами. В этом случае можно считать, что из форсунки вытекает одна топливная струя со средней скоростью и общей толщиной пленки. [34]
В промежутках между подачами реагентов в digital CVD процессах происходит откачка реактора или его продувка инертным газом. Основной характеристикой процессов ХОГФ с дискретной подачей реагентов является толщина пленки, получаемая на подложке за один цикл осаждения, включающий по одному циклу подачи каждого реагента и два цикла откачки или продувки инертным газом реактора между ними. Таким образом, пленки в процессах ХОГФ с дискретной подачей реагентов наносятся послойно в каждом цикле осаждения, и общая толщина пленки легко и точно задается и контролируется по количеству циклов осаждения. [35]
Поскольку емкость конденсатора обратно пропорциональна толщине слоя диэлектрика, можно подсчитать отношение J / C, которое в действительности является емкостной толщиной пленки. Автору удалось установить большую разницу между величиной емкости пленки такого сплава, как циркалой 2, в котором не происходит отслаивания защитной пленки, и других материалов, коррозия которых прямо пропорциональна времени и на пленках которых, очевидно, значительно больше трещин. Чтобы избежать этого изменения емкости, вызываемого изменением толщины пленки, и чтобы иметь возможность сравнивать защитные свойства пленок путем приведения к нормальным условиям, необходимо разделить значение емкости на величину W, представляющую увеличение веса образца, которое пропорционально общей толщине пленки. [36]
Величину адгезии определяют по величине усилия, которое необходимо приложить для отрыва пленки от подложки. Отрыв производят на разрывной машине, причем в верхний зажим машины закрепляется отогнутая часть фольги, а в нижний - пленка. Нерасслоенная часть образца удерживается в вертикальном положении с помощью специального приспособления. При таких испытаниях общая толщина пленки должна быть постоянной. [37]
В общем случае пленку электролита на поверхности, металла следует условно представлять как состоящую из двух слоев: диффузионного, в котором концентрация кислорода меняется линейно, и концентрационного, простирающегося за пределы толщины диффузионного слоя. При этом чем толще пленка электролита, тем в; относительно меньшей части ее кислород переносится по чисто диффузионному механизму. Эффективная толщина диффузионного слоя в изотермических условиях, совпадает с общей толщиной пленки 6 30 мкм. [38]
Проверка ( согласование) теоретических данных с экспериментальными для пленок с ограниченным р вызывает некоторые трудности. Он указывает, что для практических целей шероховатость поверхности пленок должна допускаться по меньшей мере 10 А. В процессе получения пленок с контролируемым р это сделать довольно трудно. Однако это также представляет проблему, так как еще не установлено, будет или не будет само р зависеть от температуры. Кроме того, чтобы получить необходимую информацию, требуются еще более точные измерения. Другая трудность, связанная с измерением р, состоит в том, что данный показатель не может быть только функцией шероховатости поверхности, а может также зависеть от общей толщины пленки. Например, Пэрротт [27] предполагает, что по аналогии с отражением света, зеркальное отражение наблюдается только тогда, когда угол падения электрона на поверхности пленки меньше некоторого критического значения. При этом подразумевается, что зеркальное рассеяние является функцией k и будет наблюдаться только в очень тонких пленках. На практике это подтверждалось, хотя данных еще недостаточно. Чопра [28] экспериментально доказал наличие такого влияния путем исследования магниторезистивного эффекта в пленках. Выло установлено, что частичное зеркальное отражение наблюдалось от пленок, у которых k меньше 0 5, тогда как для толстых пленок с k большим 0 5 данные лучше объясняются при допущении общего диффузного рассеяния. [39]