Критическая толщина - пленка
Cтраница 4
Вопрос об устойчивости жидких пленок, увлекаемых газовым потоком, представляет интерес при организации пленочного охлаждения и расчете оплавления тел в потоках. В этом случае стремятся к тому, чтобы не превысить критическую толщину пленки, при которой начинается отрыв капель с ее поверхности. [46]
 |
Влияние содержания бериллия и ниобия на критическую толщину окисной пленки циркония. [47] |
В работе [5] показано, что по насыщении окисной пленки кислородом до стехиометрии ( ZrOj) она теряет свои защитные свойства. Как было показано в работе 16 ], критическая толщина окисной пленки для сплавов циркония зависит от состава и температуры, причем с увеличением температуры критическая толщина пленки растет. [48]
 |
Зависимость 7К / И - f от f / C - f при деформации композиций со степенью 0 2 ( Л. 0 4 ( 2 и 0 6 % ( 3. [49] |
С увеличением Лпл происходит ее отделение от фольги и разрушение в направлении, нормальном к оси растяжения. При этом расстояние между трещинами увеличивается с ростом деформации. Критическая толщина пленки, при которой наблюдается отмеченное изменение характера разрушения, зависит в общем случае от прочности пленки и величины адгезии [ 123]; в рассматриваемом случае она составляет 0 1 - 0 2 мкм. [50]
 |
Значение кинетического параметра п и константы скорости коррозии цинксодержащего стекла и. [51] |
Дпя образцов, закристаллизованных при 750 С, кинетический параметр п принимает два значения. На первых стадиях коррозии ( 6 ч) величина п равна единице, что отвечает процессу в кинетической области, т.е. в начале взаимодействия, когда толшина защитной пленки еще мала, скорость коррозии максимальная. При достижении определенной критической толщины пленки процесс коррозии замедляется. [52]
Когда толщина сплошной оксидной пленки достигает нескольких тысяч ангстрем, диффузия ионов сквозь оксид становится определяющим скорость фактором. Такое роложение существует до тех пор, пока оксидная пленка остается сплошной. В конце концов, при достижении критической толщины пленки возникшие в оксиде напряжения могут способствовать его растрескиванию и отслоению, при этом скорость окисления незакономерно возрастает. [53]
Рассмотрим теперь факторы, которые влияют на положение границ четырех характерных областей зависимости, приведенной на рис. 3.33. Ширина каждой из этих областей определяется особенностями процессов зародышеобразования и роста конкретной пленки при данных условиях осаждения и, следовательно, не является постоянной даже для пленок одного и того же металла, если они получены в различных условиях. Обычно при пониженной температуре осаждения благодаря меньшей подвижности адсорбированных атомов образуются более крупные зародыши, и поэтому ширина областей I-III уменьшается. Можно ввести полезный параметр, называемый критической толщиной пленки dc ( см. [254]), по достижении которой пленка становится физически сплошной. На рис. 3.36 приведены зависимости dc от температуры осаждения, угла падения на подложку испаренных атомов и напряженности электрического поля. При изменении условий процесса зародышеобразования возможны вариации критической толщины пленки в широких пределах. [54]
Вывод соответствующих уравнений аналогичен уже рассмотренному выше и отличается лишь тем, что слой пространственного заряда в поверхностных областях пленки, которым можно пренебречь при изучении толстых пленок, теперь занимает значительную долю толщины пленки. Это необходимо принимать во внимание при расчете распределения потенциала и его влияния на диффузию дефектов через пленку. Кроме того, изменение кинетических закономерностей вследствие изменения глубины слоя пространственного заряда может происходить при достижении критической толщины пленки. При изучении роста очень тонких пленок необходимо принимать во внимание возможность ограничения скорости роста процессами переноса по поверхности пленки, а не переносом через пленку. [55]
Хотя в общем случае рост нитевидных кристаллов ( усов) не оказывает влияния на кинетику реакции, могут быть случаи, когда скорость общей реакции определяется скоростью процесса, протекающего на поверхности раздела между газом и окислом. Примером является реакция между сероводородом и медью при температуре около 50 С. На ранних стадиях этой реакции скорость подчиняется линейному закону, и образуется плоская пленка сульфида. При критической толщине пленки начинается зарождение нитевидных кристаллов. Начиная с этого момента реакция ускоряется вследствие увеличения площади поверхности раздела между сульфидом и газом, и это ускорение продолжается в течение всего периода роста нитевидных кристаллов. Тот факт, что скорость реакции определяется процессами, протекающими на поверхности раздела между газом и сульфидом, вытекает из зависимости скорости от давления. [56]
Значительно позднее тщательные исследования, проведенные Дерягиным и сотрудниками, показали, что взаимодействие дисперсионных и электрических сил увеличивает результирующую диахизисную силу Харди, которую он называет давлением разъединения. Вполне понятно, что такое взаимодействие может быть положительным или отрицательным в зависимости от того, являются ли действующие силы силами отталкивания или притяжения. Asl - Ah появляется положительное давление разъединения, препятствующее дальнейшему утончению и приводящее к диахизисному строению пленки. В то же время на гидрофобных поверхностях это давление отрицательное, так что, когда критическая толщина пленки оказывается достигнутой, жидкость удаляется с поверхности, образуя дискретные капли и оставляя на ней монослой. [57]
Кроме того, возрастает и сопротивление утончению и, как результат, увеличивается время коалесценции. Однако, как показал Ленг [14], теоретически исследовавший влияние различных факторов на утончение, толщина пленки в момент разрыва не зависит от размера капли. Отсюда, правда, не следует, что время коалесценции не зависит от размера капли. Действительно, поскольку толщина пленки неодинакова ( она максимальна в центре), можно заключить, что для коалесценции крупной капли требуется большее время для достижения критической толщины пленки. [58]
Рассмотрим теперь факторы, которые влияют на положение границ четырех характерных областей зависимости, приведенной на рис. 3.33. Ширина каждой из этих областей определяется особенностями процессов зародышеобразования и роста конкретной пленки при данных условиях осаждения и, следовательно, не является постоянной даже для пленок одного и того же металла, если они получены в различных условиях. Обычно при пониженной температуре осаждения благодаря меньшей подвижности адсорбированных атомов образуются более крупные зародыши, и поэтому ширина областей I-III уменьшается. Можно ввести полезный параметр, называемый критической толщиной пленки dc ( см. [254]), по достижении которой пленка становится физически сплошной. На рис. 3.36 приведены зависимости dc от температуры осаждения, угла падения на подложку испаренных атомов и напряженности электрического поля. При изменении условий процесса зародышеобразования возможны вариации критической толщины пленки в широких пределах. [59]
Страницы: 1 2 3 4