Топограмма

Cтраница 2

Сравнение топограмм приводит к выводу, что глубина слоя от торца пластины, от которого получается различимый контраст изображения дислокаций, составляет 0 3 мм. Изображения дислокаций, находящихся на более далеких расстояниях от торца пластины, сильно размыты и практически не различаются из-за многократного рассеяния рентгеновских лучей. [16]

Получение топограмм с перпендикулярной проекцией дефектов впитаксиаль-ных слоев кремния. [17]

Получение топограмм возможно и методом двух источников, при котором между экспозициями меняют угол падения пучка ОКГ на объект. [18]

Нагреватель. а - накладной. б - дистанционный. [19]

Метод парциальных топограмм в принципе пригоден для объектов любой сколь угодно сложной формы и не требует оценок их соответствия телу основной формы, как это необходимо в случае применения описанных выше приближенных расчетных методов. [20]

На топограмму могли бы быть нанесены и изолинии мощности Afj. Тогда оказалось бы, что при любой оборотности рост открытия ( и расхода) ведет к росту мощности лишь до некоторого максимума, за которым начинается ее снижение. Нет п г смысла использовать турбину за этим максимумом; кроме того, около максимума автоматическое регулирование работает неустойчиво. Поэтому на топограмме турбины Френсиса обычно проводится кривая предельной мощности, притом не по Nmax a по 0 95 ЛГтш ( фиг. [21]

На топограмме появляется область эффективных ориента-дионных вытяжек: на рис. XVI. Участок кривой 3, ограничивающий эту область, отделяет область ориеитационной кристаллизации ( см. разд. [22]

На топограмме среза пластинки ( 111) того же кристалла GaSb в отражении ( 202) дислокации наблюдаются в виде рядов взаимно параллельных, неравномерно расположенных протяженных линий постоянной ширины. [23]

Группа дислокаций, генерированных одним дислокационным источником, и дислокационные полуиетли в монокристалле. [24]

На топограммах часто наблюдается только одна из боковых сторон дислокационной полупетли. Боковые стороны дислокационных полупетель находятся, очевидно, на разной глубине в исследуемом кристалле. [25]

Дефекты на границе гетероперехода. [26]

На топограммах локальные дефекты, сосредоточенные в сэндвиче вблизи границы гетероперехода, изображаются мелкими участками черно-белого контраста в виде штрихов. [27]

Даем здесь топограммы лучших таких типов: П587, П577, Р211, Р533, Р246 ( фиг. [28]

Схомы получения топограмм методами рентгенотопографичеокого анализа: а - метод Берга - Барретта; б - метод Ланга; в - метод Бормана ( фотопластинка может быть пришата эмульсионным слоем к поверхности кристалла); / - фокус рентгеновской трубки; 1 - падающий на кристалл пучок рентгеновских лучей; В - ограничивающая щель; Н0 - отраженный пучок рентгеновских лучей; Н, - проходящий пучок рентгеновских лучей; F - фотопластинка; К - кристалл; S - заслонка, предотвращающая попадание проходящего пучка рентгеновских лучей на фотопластинку. Штриховыми линиями показаны отражающие плоскости кристалла. [29]

Полная рентгонотопограмма отражения ( 220 слоя CdTe на слюде. Ув. хЮ. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5