Cтраница 1
Разработанная топология должна: соответствовать электрической схеме; удовлетворять всем конструктивным, технологическим и электрическим требованиям; обеспечивать индивидуальный контроль над каждым элементом и компонентом в процессе изготовления; иметь размещение элементов и компонентов на плате, обеспечивающее нормальную работу ИМС в заданных условиях эксплуатации; обеспечивать требуемый уровень надежности. [1]
Разработанная топология должна соответствовать электрической схеме; удовлетворять всем конструктивным, технологическим и электрическим требованиям; обеспечивать индивидуальный контроль над каждым элементом в процессе изготовления; иметь размещение элементов на подложке, обеспечивающее нормальную работу ИМС в заданных условиях эксплуатации; обеспечивать требуемый уровень надежности. [2]
Проверка разработанной топологии ИМС на соответствие требованиям качества сопровождается уточнением размещения элементов и компонентов на плате и, как правило, уточнением топологической структуры. В результате корректировки и уточнения разрабатывают окончательный вариант топологии - оригинал, удовлетворяющий всем предъявляемым требованиям. При корректировке топологии учитывают также простоту конфигурации изготовляемых на ее основе масок или фотошаблонов и технологичность их изготовления. [3]
После этого оценивают качество разработанной топологии, уточняют ее и получают окончательный вариант. Оценку качества производят по критериям схематехнических, технологических и конструктивных требований. Сюда входят оценка емкостных связей, температурного режима, обеспечение реализации элементов с заданными номиналами и пр. В последнее время ведутся работы по применению ЭВМ совместно с координатографами ( устройствами для вычерчивания топологических рисунков) для машинного проектирования топологической структуры. При этом все варианты топологии анализируются и оптимизируются ЭВМ. [4]
По заданной принципиальной электрической схеме и разработанной топологии определяют число / г - структурных элементов каждого типа и число т - типов элементов. [5]
Оценку проектной надежности ИМС на основе разработанной топологии осуществляют по обычной методике, для чего используют эквивалентную схему надежности и эксплуатационные значения интенсивности отказов для каждого из элементов ИМС. [6]
![]() |
Коэффициенты режима работы элементов полупроводниковых ИМС. [7] |
Данный метод учитывает не только количество компонентов ненадежности, но и качество разработанной топологии, количество технологических операций, режим работы и эксплуатационные воздействия. [8]
![]() |
Коэффициенты режима работы элементов полупроводниковых ИМС. [9] |
Исходными данными для расчета надежности полупроводниковых ИМС физическим методом являются принципиальная электрическая схема, разработанная топология, маршрут технологического процесса и значения интенсивностей отказов компонентов ненадежности. [10]
С учетом этого задача выбора и расчета оптимального варианта агрегата была сформулирована следующим образом: при сохранении ранее разработанной топологии [29] получить оптимальный в смысле минимума приведенных затрат агрегат производства серной кислоты в условиях неопределенности параметров технологического режима. [11]
При ручной доработке возможны ошибки, поэтому необходимо провести контроль доработки. Если проводится алгоритмическая дотрассировка, то контроль также надо проводить, так как решение задачи трассировки занимает большое количество машинного времени и может произойти сбой ЭВМ. Контроль топологии включает в себя контроль технологических ограничений, проверку разработанного варианта топологии на соответствие принципиальной схеме и анализ электрических характеристик устройства по разработанной топологии. Эффективность программы контроля имеет большое значение, так как программа используется неоднократно. Если ошибок нет, то основные задачи технического проектирования оказываются выполненными. [12]