Cтраница 5
Полупроводниковый лазер представляет собой кристаллический диод, которому придана форма оптического резонатора Фабри-Перо. Впервые полупроводниковые лазеры были созданы на р-п переходе в арсениде галлия. На рис. 11.7 показана конструкция такого лазера. Кристалл арсенида галлия 6 с р-п переходом помещается между двумя металлическими дисками / и 2, изготовленными из молибдена или меди и служащими для отвода тепла и одновременно для подведения к кристаллу электрического тока от источника накачки. Между дисками устанавливается изолирующая прокладка 3 из арсенида галлия. Торцы кристалла отполированы и представляют собой поверхности резонатора Фабри-Перо. Недостатками лазера являются высокая пороговая плотность тока и низкий КПД при комнатной температуре. [61]