Cтраница 4
При первом способе ( рис. 8.12, б) источник ( входное отверстие) находится на внутренней обкладке эллиптического конденсатора в точке пересечения с большой осью эллипса. Поток электронов входит в поле под углом 0 к оси симметрии цилиндров. Электроны движутся так, что ось потока находится в плоскости, проходящей через большие оси эллипсов и образующие. При втором способе источник ( см. рис. 8.12, б) находится в точке пересечения поверхности внутренней обкладки с малой осью, поток входит под углом 6 к оси цилиндров. Электроны движутся так, что ось потока лежит в плоскости, проходящей через малые оси эллипсов и образующие. В обоих случаях в поле происходит пространственная фокусировка первого порядка. [46]