Cтраница 2
Кремниевые плоскостные диоды с нормированным напряжением пробоя и резким нарастанием обратного тока в точке пробоя ( рис. 9 - 29) используются как стабилитроны. [16]
В то же время при переходе внешнего К в Kj 1 со второй точкой пробоя в генераторе грубая для условий / С 1 защита оказывается чувствительной к / Cji 1 и действует на отключение. В схеме защиты имеются также блок проверки 13, блок сигнализации 14, блок питания и ряд дополнительных приспособлений, на схеме не показанных. [17]
При уменьшении поляризации электрода положение точки максимума /, сфт кривой смещается влево к точке пробоя по газу. Это связано с тем, что 1я - еЦо I2 при уменьшении поляризации электрода растет, поэтому область кинетического режима ( здесь / - / д) расширяется. [19]
В то же время при переходе внешнего К в К 1) со второй точкой пробоя в генераторе грубая для условий / С 1 защита оказывается чувствительной к Kj 1 и действует на отключение. В схеме защиты имеются также блок проверки 13, блок сигнализации 14, блок питания и ряд дополнительных приспособлений, на схеме не показанных. [20]
Следует помнить, что формула ( 39) применима, строго говоря, лишь в окрестности точки пробоя по газу. Однако анализ формулы ( 39) позволяет качественно проследить зависимость / от основных параметров изучаемой системы. [22]
Сокращение путей d, по которым мог бы развиться самостоятельный разряд ( пробой), приводит к перемещению точки пробоя вверх по кривой Пашена, в область более высоких напряжений. [23]
Однако полностью снять диффузионные ограничения не удается, так как при любой сколь угодно малой, но конечной величине радиуса шаров в окрестности точки пробоя по газу ( ш0 8) вследствие малости содержания газового реагента в электроде расстояние между газовыми порами / / д, и электрод должен генерировать ток во внутридиффузионном режиме. В этой области / о, со-кривые ( кривые 1 - 3 на рис. 23) резко спадают до нуля. [24]
Однако дальнейший рост напряжения на коллекторе может вызвать необратимый пробой ( прокол) обоих переходов, эмиттерного и коллекторного, в результате смыкания объемных зарядов, поэтому с приближением к точкам пробоя наклон кривых начинает резко увеличиваться. Напряжение пробоя зависит главным образом от толщины базы и удельного сопротивления ее материала, а также от условий работы перехода база - эмиттер. Наиболее неблагоприятным режимом считается обрыв базы ( или ее включение через вы-сокоомный резистор) вследствие накопления нескомпенсированных зарядов у эмиттерного перехода. [25]
Рассмотрим процесс вытеснения после пробоя при следующих упрощающих допущениях: жидкости одновязкостные; в продуктивной части залежи уже сложился логарифмический профиль давления; в момент t 0 непосредственно на ВНЗ в точке пробоя ( начало координат) включается в продуктивной части источник интенсивностью DQ в точке ( а, 0) работает сток интенсивностью Q, ВНЗ ( граница продуктивной залежи z 0) непроницаема. [26]
Вследствие сильного разогрева вентиля в месте пробоя селен расплавляется, а затем при затвердевании остается аморфным, непроводящим и изолирует пробитое место. Вокруг точки пробоя виден характерный кратер. [27]
![]() |
К расчету стабилизатора напряжения с полупроводниковым стабилитроном. а - вольтамперная характеристика стабилитрона. б - схема его включения в стабилизатор напряжения. [28] |
Имеет при этом значение и то, что у кремния энергии возбуждения электронов относительно велика. Поэтому характеристика диода после точки пробоя А не имеет неустойчивого падающего участка, и - резкое возрастание тока через п-р-переход сопровождается небольшим увеличением падения напряжения на диоде. Допустимая величина тока через стабилитрон ограничивается допустимой мощностью рассеяния Рмакс обр макс - Значение предельно допустимого тока через стабилитрон отмечено на характеристике точкой В. [29]
Сравнение длин I и / д позволяет лишь довольно грубо лровести дифференциацию режимов генерации тока. Так, можно утверждать, что в окрестности точки пробоя всегда существует область, где электрод генерирует ток во внутри-диффузионном режиме. [30]