Cтраница 1
Точки резонанса, как видно из рис. 39, соответствуют значениям и nl и п 3, где Р принимает максимальные значения. [1]
Поэтому точка резонанса в этих условиях определяется по наибольшему значению тока в электрической цепи. [2]
Определение точек резонанса, амплитуд колебаний и величин дополнительных напряжений производится путем расчета и экспериментально при помощи специального прибора - торсио-графа. [3]
В точке резонанса фазовый угол коэффициента прохождения равен - 180 при всех уровнях падающей мощности. Увеличение уровня падающей мощности выше порогового значения приводит к уменьшению наклона фазовой характеристики. [5]
В точке резонанса вычисленные вероятности обращаются в бесконечность. [6]
В точке ларморовского резонанса, как следует из (11.18), ионы имеют больцмановское распределение. Очевидно, что оно не может измениться под действием ион-ионных столкновений. [7]
За точкой резонанса ( участок be) значительному изменению приложенного напряжения U соответствует сравнительно малое изменение напряжения на катушке UL. [8]
Каждая из точек резонанса обладает затуханием, равным арифметической средней обаих затуханий. Экспериментальное определение кривой резонанса дает возможность установить связь и сумму за - - тухавий. [9]
В окрестности точки плазменного резонанса резко усиливается влияние вязкости и резонансного взаимодействия с электронами, вызываемого поперечной компонентой электрического поля и связанного с конечной величиной их ларморовского радиуса. Действие вязкости и эффекта ТТМР должно приводить к поглощению нижнегибридных колебаний в том случае, если они не успели поглотиться на предшествующем участке траектории. [10]
Ограничиваясь окрестностью точки ларморовского резонанса, положим GI ( X) - - п ( х8) - 1 - ( х - xs), Qie ( x) const. [11]
Напряжение в точке резонанса подсчитывается по более сложным формулам, чем ( 20 - 6) и ( 20 - 8), куда входят добротность линии и добротность источника. Точка резонанса сдвинута по отношению к соответствующей точке при хн 0 в сторону меньших длин, так как к индуктивности линии добавляется индуктивность источника. Аналогичные резонансные кривые могут быть построены при постоянной длине и переменной индуктивности источника, что соответствует изменению числа включенных блоков на станции. Этот эффект, названный емкостным эффектом, особенно проявляется в линиях СВН большой длины. Резонанс является частным случаем проявления емкостного эффекта. [12]
Точка е - точка резонанса, соответствующая максимуму амплитудно-частотной характеристики замкнутого контура автоматического регулирования. [13]
Коэффициент отражения в точке резонанса минимален при четвертьволновой связи, что обусловлено частичной компенсацией волн, отраженных резонаторами. [14]
При больших активных сопротивлениях точки резонансов сливаются, и резонансные кривые будут иметь только по одному максимуму. [15]