Любая точка - кристалл
Cтраница 1
 |
Порядки групп. [1] |
Любая точка кристалла, которая может быть занята молекулой ( в общем случае любыми частицами, образующими кристалл), называется местом, и при определенных положениях какой-либо элемент симметрии пространственной группы проходит через место. Локальной группой ( или сайт-группой) является точечная группа операций симметрии, которая оставляет место инвариантным. Таким образом, те места, которые не лежат на каком-либо элементе симметрии, имеют тривиальную локальную группу Ct. Локальная группа должна быть подгруппой как фактор-группы, так и точечной группы молекулы. [2]
 |
Дихрограф фирмы Roussel - Jouan. [3] |
Двулучепреломление АгаЛин в любой точке кристалла пропорционально силе поля VII в этой точке, где V - напряжение, приложенное к пластинке. [4]
Поскольку свет, возбуждаемый в любой точке кристалла люминофора, вызывает свечение всего зерна, то очевидно, что экраны, состоящие из более мелких зерен, обладают более высокой разрешающей способностью. [5]
Эта функция описывает возмущение, появляющееся в любой точке кристалла; после приложения мгновенной силы в начале координат. На бесконечности ей соответствуют расходящиеся от начала волны. [6]
 |
Зависимость скорости. [7] |
Как при всякой топохимической реакции, присоединение кислорода начинается не в любой точке кристалла окиси свинца, а в наиболее активных точках ( ребра, трещины, поврежденные места кристаллической поверхности), после чего окисление продолжается по межфазной поверхности раздела сурик - глет. [8]
 |
Положение фронта кристаллизации при радиальной асимметрии теплового поля. [9] |
Если слиток, изображенный на рис. 6.19, привести во вращение со скоростью со, то в любой точке кристалла скорость кристаллизации будет изменяться с течением времени по простому синусоидальному закону с амплитудой, равной cortgG, где г - расстояние от центра до произвольной точки на фронте кристаллизации. [10]
Центром симметрии называется точка внутри кристалла, по отношению к которой все грани, ребра и вершины ( точнее любая точка кристалла) симметричны. В кристалле с центром симметрии каждой грани соответствует противоположная параллельная грань. [11]
Рассмотрим зонную энергетическую диаграмму р-п перехода, представленную на рис. 1.12. В состоянии термодинамического равновесия энергия уровня Ферми постоянна в любой точке кристалла. В прикон-тактной области концентрации дырок и электронов меняются, меняется потенциал, что обусловливает изгиб энергетических зон. [12]
Согласно формулам (4.2.7) - (4.2.11) снижение скорости роста на 3 - 4 порядка от значений, удовлетворяющих неравенству (4.2.8), должно приводить к изменению распределения примеси в приповерхностной зоне от неравновесно равномерного при полном удержании твердой фазой примеси, унаследованной от слоя Г, до равновесно неравномерного при полном выравнивании термодинамической активности в любой точке кристалла. [13]
Обычные ( или объемные) электронные состояния в кристалле представляют собой перемещающиеся волны, которые характеризуются волновым вектором k и обладают энергией E ( k), лежащей в пределах разрешенных зон. Электроны, занимающие эти состояния, способны переносить ток через объем кристалла и могут с одинаковой вероятностью находиться в любой точке кристалла. [14]
Плоскостью падения называется плоскость, содержащая луч и нормаль к поверхности кристалла. Главным сечением кристалла называется плоскость, содержащая оптическую ось кристалла и луч. Оптическая ось кристалла - прямая, проведенная через любую точку кристалла в направлении, в котором не происходит двойного лучепреломления. [15]
Страницы: 1 2