Точность - сопротивление
Cтраница 1
Точность сопротивления зависит также от метода соединения резистивных пленок с проводящими слоями. На рис. 20.2, а показано, что ошибка в наложении проводящих контактных слоев 1 приводит к изменению длины резистора 2 на величину 2 А /, а следовательно, к изменению величины сопротивления пленки. [1]
Классы точности сопротивлений определяют допустимые отклонения величины сопротивления от номинальной. [2]
Требования к точности сопротивления самой большой декады очень строгие. [3]
Индивидуальная подгонка обеспечивает точность сопротивлений до 0 01 % и компенсирует градиентную погрешность поверхностного сопротивления резистивной пленки. [4]
Точность измерения прямо пропорциональна точности сопротивления эталонного резистора R3 и точности опорного напряжения Um. Для выбора типа операционного усилителя справедливы те же условия, что и для схем измерения напряжения. При выборе сопротивления резистора Яэ необходимо снова учитывать вредное влияние, оказываемое входным остаточным током и входным остаточным напряжением используемого операционного усилителя. [5]
На современном уровне развития техники точность сопротивлений невысока. Для первого способа точность колеблется в пределах 40 % от номинала. Второй - обеспечивает точность в пределах 1 % от номинала. [6]
Допустимые отклонения указаны в зависимости от класса точности сопротивления. [7]
Для приближенного подсчета с достаточной для практики точностью сопротивления можно сложить арифметически. [8]
 |
Варианты схемы ОУ с фотодиодами. [9] |
Большие отклонения в коэффициентах усиления ОУ незначительно снижают Косе - Он будет определяться в первую очередь точностью сопротивлений резисторов. [10]
Совмещенные ИС содержат кристалл кремния, в котором с помощью планарно-эпитаксиальной технологии сформированы активные элементы ( диоды и транзисторы), а также те резисторы, к точности сопротивления которых не предъявляется высоких требований. Пассивные же элементы - резисторы, конденсаторы, а также соединения между элементами - выполняются по тонкопленочной технологии на поверхности окисленного кристалла. При этом надежность и компактность активных элементов, характерные для полупроводниковых схем, сочетаются с большим диапазоном возможных номиналов и точностью пассивных элементов, характерных для пленочных схем. [11]
Двойной Т - образны и мост может быть использован для быстрого и точного определения коэффициента отражения, а также полного сопротивления Z; точность измерения последнего, правда, определяется точностью сопротивления Zr, с которым производится сравнение. Так как при этом измерительная установка становится значительно дороже хорошей измерительной линии, то двойной Т - образный мост используется для измерения полного сопротивления только в редких случаях. Что же касается контроля согласования и измерения коэффициента отражения, то в отношении точности и быстроты измерения этих величин двойной Т - образный мост очень хорош. При высокой точности изготовления двойного Т - образного моста ( между плечами А и В может быть получена развязка выше 60 дб. [13]
Уточняем ( максимальные значения / i, / K2 и минимальные значения / бь / 62, Uai, US2 с учетом допуска на сопротивления и заданной нестабильности напряжения питания; проверяем выполнение условий ( 145), ( 146) и при необходимости корректируем значения или ( и) класс точности сопротивлений. [14]
После подгонки порошок удаляется с подложки при помощи вакуумного пылесоса. Абразивный метод подгонки обеспечивает точность сопротивления 5 % и выше. Недостатком метода является возможность загрязнения других элементов схемы. [15]
Страницы: 1 2