Обычный травитель
Cтраница 1
Обычные травители при комнатной температуре не оказывают на полистирол воздействия. [1]
 |
Распределение интенсивности в световом потоке лазерного излучения. [2] |
Этот слой слабо травится обычными травителями, имеет высокую поверхностную твердость, мелкую кристаллическую субструктуру и содержит высокотемпературные фазы. [3]
Упрочненные слои почти не травятся обычными травителями, но из-за своей недостаточной плотности не могут быть использованы как антикоррозионные покрытия. В связи с небольшой толщиной упрочненные слои не подвергаются дальнейшей механической обработке; упрочненную поверхность можно только доводить карбидом бора с помощью чугунных притиров или мелкозернистыми абразивными брусками. [4]
Так, при 700 С процесс приведет к осаждению непрозрачных пленок, плохо травящихся в обычных травителях. [5]
Этот реактив позволяет распознать цинковую фазу в гетерогенных двойных или многокомпонентных системах, особенно в богатых цинком сплавах. Кроме того, с его помощью можно установить незначительные количества гетерогенно распределенных примесей, которые обычными травителями определить очень трудно. [6]
В поисках лучшего способа очистки ружейных стволов он заметил также, что сплавы 12 % Сг-Fe не травятся обычными травителями с азотной кислотой и длительное время не ржавеют в атмосфере. [7]
 |
Фланец агрегата авиадвигателя. [8] |
В одном из повреждений находилось металлическое включение в форме шарика диаметром приблизительно 2 мм. Металлографический анализ показал, что материал шарика отличается от материала фланца; он обладает значительно большей твердостью и не травится обычными травителями для черных сплавов. [9]
 |
Схема фотолитографического процесса при получении меза-транзистора. [10] |
Фотолитографический метод основан на способности ряда материалов, именуемых в дальнейшем фоторезистами, изменять свою структуру под действием света. Если на поверхность полупроводника нанести такой фоторезист и обработать его светом через шаблон с отверстиями, то участки, подвергнутые освещению, не будут растворяться в обычных травителях. В то же время незасвеченные части фоторезиста будут легко растворяться. Таким способом удается получить селективное травление на поверхности полупроводника. [11]
При лазерной закалке с оплавлением поверхности скорости охлаждения в 1000 раз превышают скорость при обычной закалке. В результате образуется мартенсит с большим, чем в традиционных случаях, содержанием углерода. Такие слои слабо травятся в обычных травителях, имеют высокую твердость, мелкое зерно и могут содержать метастабильные высокотемпературные фазы. [12]
В течение последних лет ведутся интенсивные поиски способов получения тончайших защитных пленок на поверхности полупроводниковых пластин и приборов. Теоретические расчеты показали, что такие пленки должны иметь высокое удельное электросопротивление, эффективную маскирующую способность и обеспечивать стабильность параметров полупроводниковых приборов. Проведенными в Институте опытами установлено, что методом осаждения стеклообразователей из раствора можно получить пленку стекла толщиной 0.1 - 1.0 мк, которая обладает удельным электрическим сопротивлением 1010 - 1014 ом-см, эффективной маскирующей способностью в процессе внедрения диффузантов, устойчивостью во влажной атмосфере, высокой термостойкостью, растворимостью в обычных травителях и характеризуется хорошей адгезией с использованием для фотолитографии резистом. Процесс получения пленок из раствора более производителен и осуществляется при более низкой температуре, чем процесс термического оплавления кремния. Метод получения пленок применяется при изготовлении приборов по планарной технологии. [13]
В течение последних лет ведутся интенсивные поиски способов получения тончайших защитных пленок на поверхности полупроводниковых пластин и приборов. Теоретические расчеты показали, что такие пленки должны иметь высокое удельное электросопротивление, эффективную маскирующую способность и обеспечивать стабильность параметров полупроводниковых приборов. Проведенными в Институте опытами установлено, что методом осаждения стеклообразователей из раствора можно получить пленку стекла толщиной 0.1 - 1.0 мк, которая обладает удельным электрическим сопротивлением 1010 - 1014 ом-см, эффективной маскирующей способностью в процессе внедрения диффузантов, устойчивостью во влажной атмосфере, высокой термостойкостью, растворимостью в обычных травителях и характеризуется хорошей адгезией с использованием для фотолитографии резистом. Процесс получения пленок из раствора более производителен и осуществляется при более низкой температуре, чем процесс термического оплавления кремния. Метод получения пленок применяется при изготовлении приборов по пленарной технологии. [14]
Полиметилметакрилат ( ПММА) обладает низкой чувствительностью к электронному пучку и недостаточной стойкостью к воздействию травителей. Полистиролсульфон, сополимеры глицидил-метакрилата с этилакрилатом, октадецилвинилового эфира и ма-леинового ангидрида, этерифицированного аллиловым спиртом и др., более чувствительны к действию пучка электронов. Однако в планарной технологии используются более доступные полимеры, с чувствительностью к электронному пучку не ниже 5 - 10 - 6 Кл / см2 ( при энергии электронов 10 - 30 кэв) и разрешающей способностью не хуже 2 - Ю3 - 5 - Ю3 лин / мм. Эти резисты устойчивы к действию, кроме обычных травителей, ионов аргона и фреона, используемых при ионном травлении. Последний относится к негативным электронным резнстам, поскольку циклокаучук под действием электронного пучка образует плотную нерастворимую пространственную сетку. [15]
Страницы: 1