Cтраница 1
Травление заготовок производится в травильном помещении с вытяжной вентиляцией. Продолжительность травления 4 - 6 сек; затем следуют промывка и сушка. [1]
Травление заготовок производится в травильном помещении с вытяжной вентиляцией. [2]
После травления заготовки опускают в кипящую дистиллированную воду. Аналогично готовят полупроводниковые заготовки из арсенида индия, однако травление необходимо производить в кипящей 5 - 10 % - ной соляной кислоте. На рис. 4 представлена схема изготовления магниторезистора на изоляционной подложке. Полупроводниковая пластина после промывки наклеивается полированной широкой гранью на полированную поверхность подложки из алунда, стекла или феррита с помощью эпоксидного клея. Дальнейшие операции указаны на рисунке. [4]
![]() |
Схемы волочения. [5] |
После травления заготовки промывают водой. [6]
![]() |
Механическая обработка заготовок короткозамыкающих колец под сварку. [7] |
После травления заготовки кольца и присадочные материалы промывают горячей водой. [8]
Технологический процесс заканчивается травлением заготовок в плавиковой кислоте. [9]
Подготовка поверхности начинается с травления заготовок до полного удаления бкалины в сернокислотной ванне при температуре 60 - 80 С в течение 20 мин. Затем заготовки промываются, просушиваются и передаются на сортировку, которая ведется по размерам и качеству поверхности. Заготовки с грубыми рванинами на кромке и грубыми дефектами бракуются. Мелкие дефекты удаляются наждачной зачисткой, жировые пятна смываются бензином. Замасливание заготовок является основной причиной брака по расслою, а промывка бензином не всегда его устраняет. [10]
Номенклатура операций при изготовлении изделий методом сварки взрывом включает в себя: механическую обработку соединяемых поверхностей; травление заготовок ( с последующими мойкой и сушкой); обезжиривание свариваемых поверхностей; сборку заготовок, укладку ВВ и установку детонатора; производство взрыва ( собственно сварка); термическую обработку и правку. [11]
Травление заготовок и готовых изделий или деталей из алюминия и его сплавов применяется для удаления жировых пленок, загрязнений, следов маркировки, окислов, а также для химической очистки поверхностей и придания им ровного тона. [12]
Обезжиренные заготовки травят в водном растворе серной и соляной кислот, в результате удаляются неорганические загрязнения и окисные пленки. После травления заготовки промывают в воде и сушат. Очищенные детали подвергаются высокотемпературному отжигу в среде влажного водорода ( точка росы 288 - 292 К), предназначение которого состоит в обез-гаживании деталей, снятии механических напряжений и удалении углерода из поверхностного слоя. [13]
![]() |
Конструкция высокочастотного транзистора малой мощности. [14] |
Заготовку протравливают в смеси кислот для удаления всех загрязнений, появившихся при сварочных операциях. После травления заготовки промывают и сушат. [15]