Травление - переход
Cтраница 1
Травление переходов, напаянных на держатель, предъявляет высокие требования к материалу покрытия кристаллодержателей. Обычно применяют кристаллодержатели, покрытые слоем золота. [1]
Травление переходов с кремниевым контактом в электролите, который успешно использовался для травления переходов с алюминиевым контактом, дало незначительное улучшение вольт-амперных характеристик даже при довольно продолжительном травлении. В этом случае после травления вольт-амперные характеристики значительно улучшались, но стравливался материал омического контакта. [2]
Травление переходов приводит к улучшению вольт-амперной характеристики лишь до определенного предела. Дальнейшее травление лишь увеличивает прямое падение, не меняя обратной ветви. [3]
Травление переходов с кремниевым контактом в электролите, который успешно использовался для травления переходов с алюминиевым контактом, дало незначительное улучшение вольт-амперных характеристик даже при довольно продолжительном травлении. В этом случае после травления вольт-амперные характеристики значительно улучшались, но стравливался материал омического контакта. [4]
Травление переходов приводит к улучшению вольт-ампер ной характеристики лишь до определенного предела. Дальнейшее травление лишь увеличивает прямое падение, не меняя обратной ветви. [5]
Травление переходов с кремниевым контактом в электролите, который успешно использовался для травления переходов с алюминиевым контактом, дало незначительное улучшение вольт-амперных характеристик даже при довольно продолжительном травлении. В этом случае после травления вольт-амперные характеристики значительно улучшались, но стравливался материал омического контакта. [6]
Отклонения поверхности пластинки от этой плоскости являются причиной неравномерного проникания расплава в германий, что, в свою очередь, затрудняет травление переходов и приводит к низкому пробивному напряжению готовых триодов. [7]
В качестве травителей кремния можно применять щелочи: едкий калий и едкий натрий, которые хотя дают несколько худшие результаты, но допускают травление переходов вместе с кристаллодержателем и выводами. [8]
 |
Допустимое время выдержки температуры при вплавле-нии в кристалл легирующих примесей. [9] |
Доля этого тока в общем токе может быть изменена при травлении перехода. [10]
Следует отметить, что силанирование проводят сразу после травления р - п переходов без всякой сушки, которая в любом случае вносит загрязнения. Желательно, чтобы пленка не подвергалась термообработке и механическим воздействиям. Поэтому силанирование обычно проводят после напайки кристаллов с переходами на кристаллодержатели и травления переходов после напайки. Силанирование переходов до напайки на кристалло-держатель вызывает появление пленки на материале невыпрямляющего контакта, что ухудшает качество пайки. Дополнительный разогрев пленки в момент пайки может вызвать нарушение целостности покрытия. [11]
Это связано с тем, что в указанных растворах индиевые и никелевые детали прибора не растворяются. Кроме того, в этих же растворах при относительно высоких плотностях тока происходит пассивирование олова, также являющегося необходимым элементом большей части переходов. Применение растворов очень высокой концентрации нецелесообразно, так как это значительно усложняет и удлиняет последующие процессы промывки. Расчет истинной плотности тока при травлении германиевого перехода затруднителен, поскольку, помимо германия, переход включает также ряд металлических деталей. Ток, приходящийся на каждый переход, не является критичным и может колебаться в широких пределах - от 1 ма и до нескольких ампер, в зависимости от площади перехода. Большие токи способствуют локализации травления и требуют значительно меньшего времени обработки. Однако наблюдающийся при этом чрезвычайно сильный местный нагрев может привести к разрушению перехода. Чтобы такого разрушения не произошло, обычно подают напряжение на переход импульсами продолжительностью от долей секунды и дг; нескольких секунд, периоды между импульсами близки, к продолжительности самих импульсов. [12]
Существуют четыре способа ограничения тока травления на заданном участке поверхности. Первый предусматривает использование электролита, электропроводность которого меньше электропроводности материала, подвергаемого травлению. Это обеспечивает большую скорость травления участков германия, расположенных ближе к катоду. Так как катод можно поместить вблизи р-п перехода, то интенсивность травления перехода будет наибольшая. [13]
Так как при изготовлении транзисторов с диффузионными эмиттером и коллектором могут использоваться методы меза-планарной и пленарной технологии, эмит-терная область IB них может иметь достаточно сложную конфигурацию. Поскольку в высоковольтных приборах особенно сложно увеличивать площадь переходов, развитый периметр эмиттера в диффузионных транзисторах, имеющих высокое пробивное напряжение, способствует достижению в них максимальных рабочих токов, превосходящих значения, которые могут быть получены в сплавных высоковольтных транзисторах. Так, транзисторы 2N3149 - 2N3151, выпускаемые фирмой STC и фирмой Solitron, имеют максимальное напряжение t / K. Westinghouse, рассчитанным на 300 в, по произведению максимального тока на напряжение превосходят их в полтора раза. В кремниевых диффузионных транзисторах с равномерно легированной базой имеется возможность после травления перехода коллектор - база нанести на поверхность р-п перехода защитную пассивирующую пленку из полученной методом пиролиза двуокиси кремния или из какого-либо легкоплавкого стекла. В структурах с несколько меньшими значениями предельного тока метод двусторонней диффузии позволяет создать транзисторы, превосходящие по пробивным напряжениям мощные сплавные высоковольтные транзисторы. [14]
Страницы: 1