Cтраница 3
Тиосульфат натрия вследствие травления поверхности микрокристаллов галогенидов серебра действует как ускоритель химического созревания. [31]
![]() |
Индикатрисы рассеяния глушеных стекол ( а и кривые пропускания и отражения глушеного стекла в зависимости от. [32] |
Химическое матирование производится травлением поверхности стекла в парах фтористоводородной кислоты, в ее водных растворах и пастами. [33]
Обычно электролит при травлении поверхностей, подвержен-ньих окислению, выполняет две функции. Во-первых, он служит проводником тока, необходимого для процесса окисления; во-вторых, он должен способствовать удалению продуктов окисления с поверхности протравливаемого материала. [34]
Для выявления дефектов допускается травление поверхности. [35]
С какой целью применяют травление поверхности образцов. [36]
Этот процесс начинается с травления поверхности микрокристалла растворителями галогенида серебра, такими, как сульфит, тиосульфат или ионы тиоцианата, благодаря которым создаются подвижные комплексы серебра. Эти комплексы диффундируют до тех пор, пока они не столкнутся друг с другом в подходящем для выпадения осадка месте, где проявляющий раствор может превратить их в нерастворимое металлическое серебро. Место осаждения обычно находится по соседству с уже проявленным зерном серебра, и диффундировавшее серебро накладывается на него ( зерно) более или менее однородно; при этом из червеобразных зерен серебра образуются сферические частицы. В обычных эмульсиях проявленное физически серебро стремится затеряться внутри больших зерен, состоящих из многих нитей, но в сверхмелкозернистых эмульсиях, предназначенных для голографии, когда каждый атом серебра на счету, образование физически проявленного серебра, которое в обычных условиях проходит незамеченным, становится слишком явным. [37]
Таким образом, механизм травления поверхности кристаллов ИАГ при выращивании кристаллов в условиях вакуума подтверждает предположение об эвтектической природе соединений, протравливающих бороздки на поверхности кристаллов. [38]
Химическая очистка сводится к травлению поверхностей водными растворами минеральных кислот, чаще всего фосфорной. Раствор наносят на обрабатываемую поверхность и выдерживают 2 - 3 мин, после чего ее промывают горячей и холодной водой. [39]
![]() |
Схема получения пленок SiO2 окислением кремния. [40] |
Поверхность кремния химически полируется травлением поверхности плавиковой кислотой [150-154] или смесью концентрированных азотной, плавиковой и уксусной кислот. Используемые смеси известны под названием полирующих растворов СР. Например, полирующая смесь СР-8 состоит из 25 мл концентрированной азотной кислоты, 15 мл концентрированной плавиковой кислоты, 15 мл ледяной уксусной кислоты. Полирующий раствор СР-4 содержит кроме того 0 3 мл брома. [41]
Технологический процесс получения пленок травлением поверхности стекла водными растворами электролитов с целью просветления оптических деталей состоит из подготовки поверхности, травления водными растворами кислот, промывки и сушки и контроля. [42]
Повышение адгезии полимеров обусловлено ион-ным травлением поверхности и удалением загрязни ний струей газа. Эффективность обработки пленок коронным разрядом зависит от атмосферы, в которой она происходит, и срока хранения после обработки. [44]
![]() |
Гофрированные листы. [45] |