Изотропное травление
Cтраница 1
Изотропное травление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях - как вглубь, так и под маску. [1]
Изотропное травление удаляет тонкий ( обычно 1 - 10 мкм) приповерхностный слой вместе с окислами. [2]
Изотропное травление применяют как способ подготовки поверхности под последующее осаждение. В том случае, когда изотропное травление применяют для удаления тонкого слоя окислов непосредственно перед ос-аждением с целью обнажения структуры металла, его называют декапированием. Например, декапирование меди производят в 10 % - ной НС1 с последующей тщательной промывкой в холодной воде. Промывка в горячей воде приводит к повторному окислению поверхности и требует повторного декапирования. [3]
Обратная реакция в выражении (7.35) производит сухое, селективное, некоррозийное и изотропное травление меди. [4]
Наиболее перспективным вариантом является замена имплантации в SDE область изотропным травлением кремния в ней газообразным НС1 с последующим ХОГФ гетероструктуры Si, xGex, легированной бором в процессе осаждения. [5]
Поскольку при создании углублений в эпитаксиальном слое ( см. рис. 3.5, б) применяют изотропное травление, то этот слой травится не только вглубь, но и в боковых направлениях на расстояние W3ll 1 5 мкм. Затем при изотропном окислении кремния слой диоксида также растет как вниз, так и под маску. В результате ширина изолирующей области равна 7 мкм. [6]
 |
Модели формирования профилей элементов. / - пленка фоторезиста. 2 - удаляемое покрытие. 3 - подложка. [7] |
По второму предположению допускается, что маскирующая пленка остается без изменения, фиксируя центр фронта изотропного травления и задавая радиус кривизны. [8]
Изотропное травление применяют как способ подготовки поверхности под последующее осаждение. В том случае, когда изотропное травление применяют для удаления тонкого слоя окислов непосредственно перед ос-аждением с целью обнажения структуры металла, его называют декапированием. Например, декапирование меди производят в 10 % - ной НС1 с последующей тщательной промывкой в холодной воде. Промывка в горячей воде приводит к повторному окислению поверхности и требует повторного декапирования. [9]
При металлизации пластмассовых изделий, при аддитивном методе изготовления печатных плат и при металлизации полостей отверстий в многослойных печатных платах существенное значение для адгезии пленки металла имеет наличие развитого микрорельефа поверхности подложки. Наименее трудоемким и наиболее эффективным способом создания шероховатой поверхности является химический способ изотропного травления полимерных материалов. [10]
Изотропное травление идет с одинаковой скоростью во всех направлениях - как вглубь, так и под маску. В связи с этим жидкостное изотропное травление не позволяет получить в слое SiO2 отверстия достаточно малых размеров. Так как этот слой в свою очередь является маской при легировании, то не могут быть реализованы элементы микросхем достаточно малых размеров. [11]
На рис. б показана схема метода, называемого химическим сухим травлением, в котором совершенно не используются ионы. С помощью ВЧ-поля ( 2 45 ГГц) формируется электрический разряд в CF4 O2, С восстанавливается и при этом образуются атомы F ( вероятно, в основном состоянии), которые имеют достаточно большое время жизни ( секунды) для того, чтобы ввести их в камеру для травления и осуществить травление образца. На рис. 4.75 показано, что добавление Ог изменяет скорость травления поликристаллического Si, Si3N4, резиста, Mo, W. Из рисунка видно, что поликристаллический Si, W, Mo имеют более высокую скорость травления по сравнению с Si02 и ре-зистом. Тот факт, что увеличение концентрации 02 приводит к уменьшению скорости травления, связан, вероятно, с окислением. Поскольку метод сухого травления обеспечивает изотропное травление материала, при его применении возникает под-трав, следовательно, этот метод не подходит для формирования элементов со сверхмалыми размерами. Вместе с тем этот метод не образует дефектов, поэтому в сочетании с методом реактивного ионного травления, который будет рассмотрен ниже, этот метод может найти широкое применение. [12]
Страницы: 1