Cтраница 1
Последовательное травление в кипящей соляной кислоте ( см. реактив № 3) и в кипящем растворе персульфата аммония применяют при изучении микроструктуры порошковых сплавов карбид вольфрама - кобальт. [1]
Последовательное травление в кипящей кислоте, а затем в смеси перекиси водорода и серной кислоты позволяет обнаружить частицы карбида вольфрама в его порошковом сплаве с кобальтом. Металлическая основа травится сразу, карбид травится после растворения основы. [2]
Если последовательное травление начинается с выявления поверхности зерна, то при травлении богатые фосфором участки темнеют. При использовании для выявления фосфора осветляющих реактивов картина травления искажается из-за окрашенной поверхности зерна. [3]
Выявлять ликвации нужно путем последовательного травления образца в травильных растворах Хейена и Оберхофера, а затем сравнить сделанные при этом выводы. Для документации рекомендуется сделать фотоснимок макроструктуры. [4]
Однако и при последовательном травлении необходимо обеспечивать минимальный разогрев травителя, специально охлаждая стакан со смесью кислот, интенсивно перемешивая раствор и обрабатывая точно оговоренное количество материала в соответствующем объеме травителя. [5]
Химическая обработка заключается в последовательном травлении в растворах соляной и азотной кислот определенной концентрации при определенных температурах с промежуточными промывками в воде и должна проводиться тщательно и осторожно во избежание существенной порчи выпрямителя. [6]
Описание комбинированного процесса удаления окислов с поверхности ковара, включающего последовательное травление в серной, азотной и соляной кислотах, приведено 7 в табл. 6 - 1 - ЗА. [8]
Полированные шлифы можно травить одним сильно действующим травителем для выявления одной или двух интересующих фаз, но применяется и последовательное травление несколькими трави-телями. [9]
Состав 2 хорошо выявляет макроструктуру меди и медных сплавов и применяется также при изучении медных, никелевых и хромовых покрытий на стали. Последовательное травление в течение 1 мин в соляной кислоте, затем ( после промывки) в течение 2 - 3 сек в азотной кислоте применяют для магния и некоторых его сплавов. [10]
Состав 2 хорошо выявляет макроструктуру меди и медных сплавов и его применяют также при изучении медных, никелевых и хромовых покрытий на стали. Последовательное травление в течение 1 мин в соляной кислоте, затем ( после промывки) в течение 2 - 3 сек в азотной кислоте применяют для магния и некоторых его сплавов. [11]
![]() |
Осаждение тонких пленок маску. [12] |
Это осуществляется с помощью применения органических лаков или фоторезистов, защищающих поверхность пленки в заданных участках; при этом создается рисунок требуемой формы, а незащищенные участки пленки - вытравливаются. Эти методы называют методами последовательного травления. В этом случае для создания рисунка используются способы, применяющиеся в технике фотографии, например, фотолитографии. Кроме этих традиционных, хорошо известных способов, имеется и несколько новых, разработанных в последние годы методов формирования тонкопленочных рисунков. [13]
В случае травления пластин и кристаллов с локальной защитой поверхности воском, пицеином, химически стойким лаком или другим составом, устойчивым к действию травильной смеси, необходимо особенно внимательно следить за температурой травителя, так как при длительном травлении в одном стакане возрастает температура травителя, и защитное покрытие сползает с материала. Поэтому при такой обработке применяют последовательное травление в двух-трех травителях. После каждого этапа травления пластины или кристаллы промывают. Время травления сохраняется прежним. [14]
Описанным выше методом создаются контактные маски и на поверхности тонких пленок при создании структур пленочных ИМС и тонкопленочных коммутирующих плат. Особенность фотолитографии при создании многослойных тон ко пленочных структур заключается в том, что выполняется последовательное травление слоев через создаваемые всякий раз новые контактные маски из фоторезиста. При этом на каждом этапе травления очередного слоя материал последующего слоя не должен подвергаться воздействию травителя. В пленочной технологии применяют также свободные маски в виде пластин с отверстиями, предназначенные для многократного использования. [15]