Транзистор - средняя мощность
Cтраница 2
Пусть, например, гк 5 кол; гб 20 ом; ( 5 30 ( параметры, характерные для транзисторов средней мощности) и пусть / э 250 ма; гд 10 ом; / к. Последняя величина часто вполне приемлема, но выходное сопротивление сравнительно велико. [16]
Так как требуемая мощность превышает 200 мет, то выходной каскад выполняется по двухтактной схеме в режиме класса АВ на транзисторах средней мощности. [17]
Первое условие, как правило, выполняется хорошо, второе условие ( равномерное распределение потока по площади кристалла) выполняется более или менее удовлетворительно в транзисторах средней мощности, имеющих не слишком высокую рабочую частоту. При этом тепловой поток от кристалла постепенно расходится. Увеличение эффективного сечения теплового потока зависит от толщины и теплопроводности каждого из слоев: чем больше толщина и чем больше теплопроводность, тем, очевидно, больше расширится тепловой поток. При достаточно большом увеличении площади последующего слоя увеличение поперечных размеров теплового потока будет по порядку величины близко к толщине этого слоя. Если теплопроводности соседних слоев различаются в несколько раз, то увеличение размеров потока может изменяться в пределах от десятых долей до нескольких толщин слоя. [18]
 |
Схема двухтональной сирены.| Монтажная плата двухтональной сирены. [19] |
Если двухтональный генератор будет использоваться в электронных играх или игрушках с длительной подачей звуковых сигналов, то транзистор КТ315 усилителя мощности следует заменить кремниевым n - p - п транзистором средней мощности, например КТ603 или КТ608 с любым буквенным индексом. [20]
Тип транзистора обозначают следующим образом: первая буква ( цифра) указывает на материал ( Г или 1 - германий, К или 2 - кремний, А или 3 - арсенид галлия); на втором месте ставят букву Т ( транзистор); на третьем месте стоит трехзначное число, указывающее мощность рассеяния и частоту ( транзисторы малой мощности низкочастотные-от 101 до 199, среднечастотные - от 201 до 299, высокочастотные - от 301 до 399; транзисторы средней мощности низкочастотные - от 401 до 499; среднечастотные - от 501 до 599, высокочастотные - от 601 до 699; транзисторы большой мощности низкочастотные - от 701 до 799; среднечастотные - от 801 до 899; высокочастотные - от 901 до 999); на четвертом месте ставят букву, указывающую на разновидность конструкции транзистора данной группы. [21]
В схеме с общей базой выходной характеристикой называют зависимость выходного тока / к от напряжения UKf ее снимают при постоянном значении входного тока. Так, например, для транзисторов средней мощности ток эмиттера достигает номинального значения уже при напряжении [) эб, составляющем доли вольта. [22]
 |
Принципиальная схема ( а и схема размещения узлов аппаратуры светоуправле-ния ( б на модели танка. [23] |
Транзисторы каждого блока фотореле целесообразно смонтировать на отдельных платах-для удобства размещения в корпусе модели. Транзисторы V3 - V6 могут быть любыми маломощными низкочастотными или высокочастотными, a V7 и V8-любыми транзисторами средней мощности. [24]
Усилитель собран на одной микросхеме ( транзисторная сборка 7 - ТЛ) типа КТС613Б и двух транзисторах средней мощности Т6, Тй. Потенциал на базе транзистора 7 устанавливается с помощью транзистора Т, включенного по схеме с общим коллектором. Изменяя потенциал базы транзистора Tt, можно управлять положением луча по горизонтали я симметрировать плечи усилителя. [25]
Усилитель собран на одной микросхеме ( транзисторная сборка 7 - Г4) типа КТС613Б и двух транзисторах средней мощности Ть, Тй. Потенциал на базе транзистора Тв устанавливается с помощью транзистора Г4, включенного по схеме с общим коллектором. Изменяя потенциал базы транзистора Т4, можно управлять положением луча по горизонтали и симметрировать плечи усилителя. [26]
Страницы: 1 2