Транзистор - преобразователь
Cтраница 1
Транзистор преобразователя для напряжения сигнала включен по схеме ОЭ, а в гетеродине по схеме ОК. Напряжение сигнала с катушки связи с входным контуром, включенной последовательно с катушкой связи с гетеродином, подводится к базе транзистора Ti. Для частоты входного сигнала катушка связи с контуром гетеродина, настроенным на другую частоту, представляет малое сопротивление и сигнал практически без потерь достигает база-эмиттер преобразователя. В свою очередь для токов гетеродина катушка связи с входным контуром также представляет малое сопротивление и практически не мешает его работе. [1]
Транзисторы преобразователя должны иметь одинаковые коэффициенты усиления тока базы. Транзисторы V7 - V9 могут быть типа КТ315 или КТ301 с любыми буквенными индексами, а транзистор V10 - любой маломощный. [2]
Выбор транзисторов преобразователя напряжения производится по максимально допустимому току коллектора, допустимому напряжению коллектор - эмиттер, коэффициенту усиления и граничной частоте. [3]
 |
Диаграмма формирования пилообразного напряжения. [4] |
Выбор типа транзисторов преобразователя определяется амплитудными значениями напряжения и тока в нагрузке. [5]
В момент выключения транзистора преобразователя ток коллектора достигает максимального значения, которое зависит от параметров схемы, режима работы транзисторов и их инерционных свойств. [6]
Для предотвращения повреждений транзисторов преобразователя из-за коммутационных перенапряжений на его входе должны устанавливаться защитные конденсаторы или LC-контуры. [7]
Чувствительность с базы транзистора преобразователя частоты должна быть не хуже указанной в карте режимов приемника. [8]
 |
Принципиальная схема радиоприемника Волна-50. [9] |
В цепь коллектора транзистора TI преобразователя включен четырехконтурный фильтр сосредоточенной селекции ( ФСС), который является нагрузкой этого каскада и обеспечивает приемнику избирательность по соседнему каналу. [10]
Напряжение на эмиттер транзистора TVs преобразователя частоты в диапазонах ДВ и СВ подается с эмиттера транзистора Т - ь а в диапазонах KB с катушек связи гетеродинных контуров. [11]
Воздействие на входе транзистора преобразователя AM помехи с большим уровнем ( выше 10 - 50 мВ) приводит к динамическому изменению режима транзистора и соответствующему изменению его входных и выходных емкостей. Поскольку смеситель через элементы связи соединен с гетеродином, то изменение входной или выходной емкости транзистора смесителя приводит к паразитной ЧМ гетеродина. Другим возможным путем проникновения перекрестной помехи является паразитная AM колебаний гетеродина по общим цепям питания смесителя и гетеродина при динамических изменениях режима смесителя по току от воздействия больших входных сигналов. [12]
Определяем амплитуду тока коллектора транзистора преобразователя / к. В преобразователях с насыщающимся трансформатором ( рис. 5.1 а, 5.2), как только магнитопровод трансформатора входит в насыщение, индуктивное сопротивление первичной обмотки резко уменьшается, ток коллектора открытого транзистора начинает увеличиваться - рабочая точка транзистора входит в активную область. [13]
U § происходит переключение транзисторов преобразователя. [14]
Определяем амплитуду тока коллектора транзистора преобразователя - / к макс - В схемах рис. 6.1 а, 6.2, как только сердечник трансформатора входит в насыщение, индуктивное сопротивление первичной обмотки резко уменьшается, ток коллектора открытого транзистора начинает увеличиваться и рабочая точка транзистора входит в активную область. Максимальное значение тока коллектора / к макс зависит от величины тока базы транзистора и статического коэффициента усиления по току В. [15]
Страницы: 1 2 3 4