Транзистор - различный тип
Cтраница 2
Как может быть построена схема триггера Шмитта на транзисторах различных типов электропроводности. [16]
На рис. 2.4 изображена схема трехкаскадного УГС с применением транзисторов различного типа проводимости. При этом удается избежать повышения потенциала эмиттеров по мере продвижения к выходу усилителя и тем самым увеличить напряжение коллектор - эмиттер оконечного транзистора. Кроме того, обеспечивается экви-потенциальность базы транзистора 74 и коллектора транзистора Т3, и поэтому отпадает необходимость в сопротивлении Rz. [17]
Излагаются физические основы работы различных полупроводниковых приборов: диодов и транзисторов различных типов и классов, полупроводниковых приборов для оптоэлектроники и некоторых других типов полупроводниковых приборов. [18]
 |
Возможные режимы работы транзистора при одно-полярном управлении. [19] |
В табл. 1 - 3 приведены результаты измерения динамического сопротивления транзисторов различных типов, включенных по схемам рис. 1 - 36 при однополярном управлении и температуре 25 С. [20]
Некоторые переключающие схемы могут быть созданы только при совместном применении транзисторов различного типа проводимости. [21]
Они представляют собой семейства кривых, характеризующих зависимость максимальной мощности рассеяния транзисторов различных типов от полной площади поверхности радиатора при различных температурах окружающей среды, - свободно конвектирующей воздух при нормальном давлении. [22]
На рис. 1 - 39 приведены кривые, характеризующие температурное изменение г3 транзисторов различных типов при однополярном управлении и сравнительную величину динамического сопротивления этих транзисторов. [23]
В табл. 1.1 показана полярность включения напряжения стока и смещения на затворе для транзисторов различных типов. [24]
 |
Зависимость числа носителей заряда от удельного сопротивления германия.| Типовая зависимость сопротивления коллектора плоскостного транзистора от температуры при / к1 ма и. / к Ю в. [25] |
Здесь и в дальнейшем приводятся относительные значения соответствующих параметров, что позволяет сравнивать между собой транзисторы различных типов. [26]
В то же время анализ многочисленных опытных данных показывает, что относительные изменения соответствующих параметров транзисторов различных типов характеризуются высокой идентичностью. Подобный подход является весьма удобным и при оценке влияния температуры и рабочего режима на собственные шумы и статические характеристики транзисторов. [27]
Как следует из данных табл. 7.1, порядок величины и разброс шумового сопротивления Кш в транзисторах различных типов примерно одинаковы. Разброс шумовой проводимости § шо - минимальный у малошумящих транзисторов П28, где он составляет несколько раз. У транзисторов с худшими шумовыми свойствами разброс gmo увеличивается и достигает нескольких десятков раз. [28]
Пятый каскад усилителя на транзисторах 75, Т6 выполнен по схеме составного эмиттерного повторителя с применением транзисторов различного типа проводимости. [29]
Пятый каскад усилителя на транзисторах Т5, Т6 выполнен по схеме составного эмиттерного повторителя с применением транзисторов различного типа проводимости. [30]
Страницы: 1 2 3