Сплавно-диффузионный транзистор

Cтраница 1

Технология изготовления германиевого сплавно-диффузионного. [1]

Сплавно-диффузионные транзисторы изготавливают по следующей технологии. [2]

Сплавно-диффузионный транзистор, или сплавной транзистор с последующей диффузией, также изготавливается методом диффузии и сплавления. Материал, используемый для сплавления, содержит примеси как р -, так и я-типа. Переход эмиттер-база создается обычным методом сплавления, а базовая область образуется в результате диффузии примеси из расплава внутрь кристалла. В этом заключается различие между диффузионно-сплавными и сплавно-диф-фузионными. В этом случае, так же как и в случае диффузионно-сплавных транзисторов, между базой и коллектором может находиться область с собственной проводимостью. [3]

Сплавно-диффузионные транзисторы ( или диффузионно-сплавные) отличаются тем, что у них базовая область и коллекторный переход изготовлены методом диффузии, а эмиттерный переход - методом вплавления. Многие наши транзисторы изготовлены именно таким методом. На рис. 6 - 18, а для примера показан один из вариантов устройства сплавно-диффузионных германиевых транзисторов р - п - р-типа. В пластинке германия с электропроводностью р-типа, являющейся коллектором, сделана лунка, в которой методом диффузии донор-ной примеси, например сурьмы, создан тонкий слой базы. Он образует коллекторный переход. Эмиттерная область р-типа создается вплавлением в базовый слой капли сплава, содержащего акцепторную примесь, например индий. Вывод от базы также осуществляется вплавлением капли сплава, содержащего сурьму. В рассмотренной конструкции обычно с корпусом соединяется коллектор. Аналогично могут изготовляться транзисторы типа п - р - п, а также кремниевые транзисторы. Эмиттерный переход в них получается малой толщины, и поэтому он может выдерживать только низкие обратные напряжения. [4]

Сплавно-диффузионные транзисторы при достаточно низкой стоимости имеют высокий частотный предел, несложны в производстве, перспективны с точки зрения механизации и автоматизации, допускают - применение передовых технологических приемов. К недостаткам, ограничивающим области их применения, относятся низкое обратное напряжение UЗбп и сильная зависимость коэффициента усиления по току р от температуры. При крайних положительных значениях температуры р может достигать 1000 и более и транзистор теряет способность устойчиво работать. Сплавно-диффузионные триоды являются, как и сплавные, транзисторами массового применения, однако предпочтительная область их использования - линейные малосигнальные усилители видео - и радиочастот. [5]

Для кремниевых сплавно-диффузионных транзисторов естественной является п-р - п структура. [6]

Сплавно-диффузионный транзистор. [7]

Для изготовления сплавно-диффузионного транзистора на основе германия р-типа в эмиттерную навеску вводится сурьма, имеющая большой коэффициент диффузии, и индий, у которого коэффициент диффузии мал. При вплавлении такой навески сурьма диффундирует из нее на довольно большую глубину, а индий - на малую. Из-за разных растворимостей концентрация индия в рекристалли-зованной области оказывается много большей, чем сурьмы. Таким образом образуется распределение примесей, близкое к идеальному для дрейфового транзистора. При такой технологии требования к состоянию поверхности исходной пластинки значительно ниже, чем при чисто диффузионной, так как эмиттерная навеска проплавляет пластинку полупроводника на некоторую глубину и диффузия происходит в места, не нарушенные поверхностной обработкой. [8]

Это ограничение касается только сплавно-диффузионных транзисторов р-п - р и иногда тянутых транзисторов. [9]

Довольно близки к сплавно-диффузионным транзисторам по конструкции и технологии изготовления так называемые термоконверсионные транзисторы. Явление это заключается в том, что растворенная в германии медь при температуре около 800 С создает в нем акцепторные уровни, так что исходный образец я-германия, содержаший медь, может быть в результате кратковременного нагрева превращен в дырочный. [10]

Рассматриваются физические процессы в мощных сплавных и высокочастотных сплавно-диффузионных транзисторах, которые необходимо учитывать для создания надежной электронной аппаратуры и конструкций приборов. [11]

Пусть, например, используется сплавно-диффузионный транзистор с параметрами p v 50, р1 / 5, гээ 0 5 ом, гкк 10 ом и пусть / б1 ма. [12]

Структура кремниевого сплавно-диффузионного транзистора с глубоко вплавленным эмиттером. Пунктиром показана область прохождения тока в теле коллектора при наличии эффекта оттеснения. [13]

Задача снижения сопротивления насыщения в кремниевых сплавно-диффузионных транзисторах значительно сложнее. Как отмечалось в § 5 - 2, конструкция этих приборов обычно предусматривает специальные углубления в пластине кремния, играющие роль кассеты для электродного сплава при проведении процесса сплавления-диффузии. Поэтому если ток в транзисторе оттесняется к краю эмиттера, ему приходится проходить в высокоомном коллекторе довольно большой путь. В связи с технологическими трудностями площадь и периметр эмиттера в кремниевых сплавно-диффузионных транзисторах не удается довести до такой большой величины, как в германиевых. [14]

На рис. 5 - 11 показана схема изготовления кремниевого мощного сплавно-диффузионного транзистора: 1 - исходная пластина; 2 - механическая обработка и диффузия бора, 3 - сошлифовка диффузионного слоя с коллекторной стороны; 4 - сплавление - диффузия ( а - соединительный слой р-типа; б - рекристаллизованный слой; в - и-тип, диффузия мышьяка; г - сплав олово-мышьяк-галлий; д - / 7-тип [ диффузия галлия ]); 5 - диффузия фосфора с коллекторной стороны и химическое никелирование; 6 - сошлифовка никеля с эмиттер-ной стороны; 7 - облуживание контактов; 8 - травление и резка. [15]

Страницы: 1 2