Высокочастотный маломощный транзистор

Cтраница 1

Высокочастотные маломощные транзисторы ( см. табл. 25), в том числе сплавные на предельные частоты усиления 10 и 20 Мгц ( П406 и П407 и соответствующие им сверхминиатюрные П408 и П409) и диффузионные: типов П401 - П403 с наименьшими частотами генерирования 30 - 120 Мгц. [1]

Устройство высокочастотного сплавного диффузионного транзистора. [2]

Конструкция корпусов высокочастотных маломощных транзисторов мало отличается от конструкции транзисторов низкой частоты. Для их герметизации также - используются металлостек-лянные корпуса. [3]

Первый каскад ( рис. 35, а) содержит высокочастотный маломощный транзистор, например типов П403, П414 - П416, П423 или ГТ313А, включенный пс схеме с ОК. Хотя такой каскад и не дает усиления по напряжению, но он повышает входное сопротивление видеоусилителя и без него невозможно согласование входа видеоусилителя с видеодетектором. [4]

Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпи-таксиально-планарных р-п - р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. [5]

Транзисторная сборка, состоящая из четырех кремниевых эпи-таксиально-планарных п-р - п переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. [6]

Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпи-таксиально-планарных п-п - п переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. [7]

Транзисторная сборка, состоящая из четырех кремниевых эпи-таксиально-планарных п-р - п переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. [8]

Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпи-таксиально-планарных р-п - р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. [9]

Транзисторная сборка, состоящая из четырех кремниевых эпи-таксиально-планарных п-р - п переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. [10]

Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых, эпитаксиально-планарных п-р - п переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. [11]

Транзисторные сборки, состоящие из четырех германиевых диффузионно-сплавных p - n - р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. [12]

Транзисторная сборка, состоящая из двух кремниевых эпитак-сиально-планарных р-п - р и п-р - п универсальных высокочастотных маломощных транзисторов с раздельными выводами. [13]

Уменьшению остаточного напряжения при инверсном включении транзисторов способствуют увеличение а, уменьшение обратного тока эмиттерного перехода Igg, уменьшение сопротивления базы / g, уменьшение емкости переходов, уменьшение тока базы в открытом состоянии транзистора, уменьшение сопротивлений источника сигнала и входной цепи усилителя. Наиболее пригодны для ключевых модуляторов высокочастотные маломощные транзисторы с большими значениями коэффициента усиления по току. [14]

Наиболее ранними полупроводниковыми приборами, вошедшими в практику, были германиевые или кремниевые радиолокационные детекторы. Основными задачами ее были ( да и продолжают оставаться) повышение рабочих частот транзисторов, увеличение отдаваемой ими мощности и увеличение рабочих напряжений для тех случаев, где в том встречается необходимость. В начале 50 - х годов промышленностью уже были освоены высокочастотные маломощные транзисторы ( рис. 71), и они сразу нашли себе применение в приемных устройствах. [15]

Страницы: 1