Дополнительный транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Лучше уж экстрадиция, чем эксгумация. Павел Бородин. Законы Мерфи (еще...)

Дополнительный транзистор

Cтраница 3


Вместо резистора R3 включают цепочку, состоящую из двух резисторов и дополнительного транзистора. На рис. 7.29 показан один из вариантов схемы ТТЛ ИС повышенной помехоустойчивости.  [31]

32 Схемы мостиковых диодных контактов, используемых в абонентских комплектах АТСЭ.| Схемы электронных транзисторных контактов для тракта с АИМ. [32]

Во второй cxeine ( рис. 2.40 6) мостиковый контакт с дополнительным транзистором позволяет иметь электропитание с одной градацией напряжения и несколько уменьшить мощность управления.  [33]

Использование составного транзистора увеличивает коэффициент стабилизации на величину коэффициента усиления по току дополнительного транзистора.  [34]

Заряд входной емкости силового ключа обеспечивается в данной схеме через внутренний диод дополнительного транзистора. При этом импульсный трансформатор может работать в режиме насыщения, поскольку контур разряда входной емкости при закрытом дополнительном транзисторе отсутствует. При переключении сигнала в первичной обмотке дополнительный ключ отпирается, обеспечивая разряд входной емкости и выключение силового ключа.  [35]

В ряде случаев защита полупроводниковых устройств весьма эффективно осуществляется при помощи комбинации дополнительного транзистора со схемой тиристора. Иллюстрацией этому может служить схема рис. 48, б, действие которой не требует пояснения.  [36]

В статье рассматривается принцип электрического управления периодом следования импульсов блокинг-генератора с помощью дополнительного транзистора, включенного в цепь разряда конденсатора. Изменением напряжения между базой и эмиттером этого транзистора осуществляется управление током разряда конденсатора, а следовательно, и периодом следования генерируемых импульсов. Такой способ управления удобен при модуляции периода следования импульсов по различным законам с помощью внешнего генератора управляющего напряжения.  [37]

В ряде случаев защита полупроводниковых устройств весьма эффективно осуществляется при помощи комбинации дополнительного транзистора со схемой тиристора. Иллюстрацией этому может служить схема рис. 48, б, действие которой не требует пояснения.  [38]

Использование составного транзистора увеличивает коэффициент стабилизации на величину коэффициента усиления по току дополнительного транзистора.  [39]

Для управления таким триггером применяются различные схемы, включающие, в свою очередь, дополнительные транзисторы, что снижает преимущество триггера - чрезвычайную простоту его схемы.  [40]

41 Компенсационный стабилизатор напряжения с операционным усилителем в цепи регулирования.| Компенсационный стабилиза - тор напряжения с усилителем мощности и защитой от сверхтока. [41]

На рис. 11.10 представлена схема стабилизатора, отличающаяся от схемы на рис. 11.6 введением дополнительного транзистора V5, являющегося усилителем мощности.  [42]

43 Схема включения управляющего ( 7 3 и усиливающего ( 7 4 транзисторов. [43]

Одновременное переключение группы триггеров ( например, в исходное состояние) рекомендуется осуще-ставлять при помощи общего дополнительного транзистора Тз ( рис. 11) который в нормальном состоянии полностью открыт.  [44]

На рис. 8 приведена схема компенсационно-параметрического стабилизатора, в котором рабочие обмотки Wp магнитного усилителя подключены через дополнительные транзисторы Т5 и Т6, а базовые цепи силовых транзисторов Т1 и Т2 питаются от специальных обмоток обратной связи W магнитного усилителя. Начальное отпирание силовых транзисторов ( через С и С 1) и переключение дополнительных осуществляется синфазно от магнитного мультивибратора, включенного на выход стабилизатора. Поскольку напряжение на рабочей обмотке Wp магнитного усилителя равно Е, то здесь также образуется параметрический канал регулирования.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5