Cтраница 3
Вместо резистора R3 включают цепочку, состоящую из двух резисторов и дополнительного транзистора. На рис. 7.29 показан один из вариантов схемы ТТЛ ИС повышенной помехоустойчивости. [31]
![]() |
Схемы мостиковых диодных контактов, используемых в абонентских комплектах АТСЭ.| Схемы электронных транзисторных контактов для тракта с АИМ. [32] |
Во второй cxeine ( рис. 2.40 6) мостиковый контакт с дополнительным транзистором позволяет иметь электропитание с одной градацией напряжения и несколько уменьшить мощность управления. [33]
Использование составного транзистора увеличивает коэффициент стабилизации на величину коэффициента усиления по току дополнительного транзистора. [34]
Заряд входной емкости силового ключа обеспечивается в данной схеме через внутренний диод дополнительного транзистора. При этом импульсный трансформатор может работать в режиме насыщения, поскольку контур разряда входной емкости при закрытом дополнительном транзисторе отсутствует. При переключении сигнала в первичной обмотке дополнительный ключ отпирается, обеспечивая разряд входной емкости и выключение силового ключа. [35]
В ряде случаев защита полупроводниковых устройств весьма эффективно осуществляется при помощи комбинации дополнительного транзистора со схемой тиристора. Иллюстрацией этому может служить схема рис. 48, б, действие которой не требует пояснения. [36]
В статье рассматривается принцип электрического управления периодом следования импульсов блокинг-генератора с помощью дополнительного транзистора, включенного в цепь разряда конденсатора. Изменением напряжения между базой и эмиттером этого транзистора осуществляется управление током разряда конденсатора, а следовательно, и периодом следования генерируемых импульсов. Такой способ управления удобен при модуляции периода следования импульсов по различным законам с помощью внешнего генератора управляющего напряжения. [37]
В ряде случаев защита полупроводниковых устройств весьма эффективно осуществляется при помощи комбинации дополнительного транзистора со схемой тиристора. Иллюстрацией этому может служить схема рис. 48, б, действие которой не требует пояснения. [38]
Использование составного транзистора увеличивает коэффициент стабилизации на величину коэффициента усиления по току дополнительного транзистора. [39]
Для управления таким триггером применяются различные схемы, включающие, в свою очередь, дополнительные транзисторы, что снижает преимущество триггера - чрезвычайную простоту его схемы. [40]
![]() |
Компенсационный стабилизатор напряжения с операционным усилителем в цепи регулирования.| Компенсационный стабилиза - тор напряжения с усилителем мощности и защитой от сверхтока. [41] |
На рис. 11.10 представлена схема стабилизатора, отличающаяся от схемы на рис. 11.6 введением дополнительного транзистора V5, являющегося усилителем мощности. [42]
![]() |
Схема включения управляющего ( 7 3 и усиливающего ( 7 4 транзисторов. [43] |
Одновременное переключение группы триггеров ( например, в исходное состояние) рекомендуется осуще-ставлять при помощи общего дополнительного транзистора Тз ( рис. 11) который в нормальном состоянии полностью открыт. [44]
На рис. 8 приведена схема компенсационно-параметрического стабилизатора, в котором рабочие обмотки Wp магнитного усилителя подключены через дополнительные транзисторы Т5 и Т6, а базовые цепи силовых транзисторов Т1 и Т2 питаются от специальных обмоток обратной связи W магнитного усилителя. Начальное отпирание силовых транзисторов ( через С и С 1) и переключение дополнительных осуществляется синфазно от магнитного мультивибратора, включенного на выход стабилизатора. Поскольку напряжение на рабочей обмотке Wp магнитного усилителя равно Е, то здесь также образуется параметрический канал регулирования. [45]