Закрытый транзистор

Cтраница 3

Напряжение на коллекторе закрытого транзистора практически равно напряжению Ек. Увеличивающийся ток в первичной обмотке трансформатора наводит эдс в базовой обмотке. При правильном включении обмо-гок отрицательный полюс ее прикладывается к базе транзистора, увеличивая базовый ток 1 б, а следовательно, и коллекторный ( к токи. Этот процесс носит лавинообразный характер. [31]

Влияние базового тока закрытого транзистора на разряд конденсатора практически устраняется полностью, если в цепь базы включить кремниевый диод с малым обратным током так, как это сделано на рис. 5.17. Сопротивление R и напряжение источника Еб при этом должны быть выбраны как для мультивибраторов на дрейфовых транзисторах. [32]

В действительности в закрытом транзисторе ток коллектора никогда не бывает равен нулю, а характеризуется значением / со ( отсечка), возрастающим с увеличением температуры. [33]

Амплитуда напряжения на закрытом транзисторе преобразователя с учетом коммутационных всплесков в момент переключения транзисторов не должна превышать предельно допустимого напряжения коллектор - эмиттер транзистора, оговоренного в технических условиях. Амплитуда всплесков зависит от индуктивности рассеяния первичной обмотки трансформатора и скорости изменения тока коллектора. [34]

Схема с диодными связями без смещения. [35]

Необходимо отметить, что закрытые транзисторы не работают в области отсечки, поэтому считать их закрытыми можно только условно. [36]

В, ток стека закрытого транзистора / со1 мкА, длительности интервалов, в течение которых транзистор отперт и заперт, равны друг другу, длительности фронтов напряжения вых пренебрежимо малы. [37]

Для учета токов утечки закрытого транзистора в статическую эквивалентную схему ключа с использованием канального транзистора ( рис. 1) необходимо ввести генератор тока: / зс - при управлении ключом по затвору и истоку; 1Ш - при управлении по затвору и стоку. [38]

Усилительный каскад с высокочастотной коррекцией. [39]

Емкости ССя и Сиз закрытого транзистора в-несколько раз меньше, чем у открытого, когда проводящий канал приближается к электроду затвора. Практически значения этих емкостей лежат в пределах от 1 до 50 пф. [40]

Так как остаточный ток закрытого транзистора К7 мал, то емкость Сх будет сохраняться на выходах ячейки ( на стоках VTt и VT2) длительное время. Для того чтобы поддерживать напряжение на емкости Сл, несмотря на неизбежный ее разряд, осуществляют регенерацию: периодическую запись того же кода. [41]

Так как остаточный ток закрытого транзистора УТ1 мал, то емкость С1 будет сохраняться на выходах ячейки ( на стоках КГ, и УТ2) длительное время. Для того чтобы поддерживать напряжение на емкости С, несмотря на неизбежный ее разряд, осуществляют регенерацию: периодическую запись того же кода. [42]

Больше значение крутизны для нормально закрытого транзистора обусловлено меньшей толщиной легированного донорами арсенида галлия-алюминия. [43]

Схема мостового преобразователя с самовозбуждением. [44]

В рассмотренных схемах к закрытому транзистору прикладывается напряжение, равное сум-ме напряжения питания UQ и эдс, наведенной в неработающей половине первичной обмотки. Кроме того, напряжение на транзисторе может иметь выброс, возникающий в момент его выключения. Амплитуда выброса зависит от индуктивности рассеяния обмоток трансформатора и скорости изменения тока коллектора. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5