Выбранный транзистор

Cтраница 3

Определяем необходимую емкость конденсатора Сос, исходя из обеспечения устойчивости усилителя. Полагаем для выбранных транзисторов р макс 20, Р2маКс 100 Рзмакс 100 Для транзисторов П106 fp мин 25 кгц, для транзисторов П16Б / мин-20 кгц. [31]

Стабилизаторы напряжения на транзисторах строятся на невысокие напряжения. Токи стабилизации зависят от выбранного транзистора Т и достигают 1 а и более. [32]

Выбирая детали и транзисторы для разрабатываемого усилителя, необходимо удовлетворить также климатическим и эксплуатационным требованиям. Влагоустойчи-вость, допустимые вибрационные и ударные нагрузки выбранных транзисторов должны превосходить заданные. При понижении давления тепловые постоянные транзисторов значительно изменяются, поэтому площади охлаждающих радиаторов должны быть увеличены. Может оказаться, что выбранные транзисторы не смогут рассеивать заданной мощности без принудительного обдува. В зависимости от жесткости требований к постоянству коэффициента усиления необходимо применять различные способы термостабилизации. [33]

Максимально допустимый ток нагрузки стабилизатора определяется типом применяемого транзистора. Если ток нагрузки / вьи превышает допустимое значение тока для выбранного транзистора, то применяют более мощный транзистор или включают транзисторы параллельно. Номинальная величина выходного напряжения 1 / вых равна напряжению стабилизации стабилитрона за вычетом небольшего напряжения ибэ. Так как напряжение [ / бэ не превышает нескольких десятых вольта, то обычно считают, что ( / вых Ucr. Если необходимо получить напряжение С / выж больше, чем 1 / ст имеющихся в наличии стабилитронов, то их соединяют последовательно ( рис. 78, а), при этом выходное напряжение будет поддерживаться на уровне, равном сумме напряжений стабилизации всех диодов. При необходимости стабилизировать небольшие напряжения в качестве стабилизирующих диодов применяют стабисторы или включенные в прямом направлении стабилитроны. Суммарное напряжение стабилизации определяется так же, как в случае однополярного включения. При этом напряжение стабилизации в прямом включении маломощных кремниевых стабилитронов всех типов составляет 0 7 - 0 8 В. [34]

Недостатком транзисторов является технологический разброс их параметров и зависимость их от температуры окружающей среды. Поэтому определение усредненных характеристик транзистора затруднено; для расчета каскадов либо снимают характеристики для данного транзистора, либо используют наиболее типичные характеристики для выбранного транзистора из справочника. [35]

При большой суммарной нагрузке добротность не зависит от нее и достигает предельного значения. Из проведенного анализа следует, что чем выше верхняя граничная частота и чем меньше допустимые частотные искажения, тем меньшее усиление по напряжению можно получить от каскада с потенциальным выходом ( Лн J RK), построенного на выбранном транзисторе. Однако это сопровождается некоторым снижением коэффициента усиления на средних и низших частотах. [36]

Микросхема ПЗУ К556РТ4. [37]

О, и, наоборот, этот транзистор закрыт, если разряд записываемого слова содержит лог. Затем повысим значение напряжения коллекторного питания транзисторов накопителя. Через открытые выбранные транзисторы потечет большой ток, вызывающий пережигание перемычек в эмиттерной цепи этих транзисторов. Итак, перемычка в цепи эмиттера выбранного транзистора пережигается, если на соответствующий выход подан лог. [38]

Для того чтобы переключить транзистор, находящийся в точке соединения входа с требуемым выходом, в проводящее состояние, на соответствующий вход из схемы управления подается маркирующий потенциал 24 в, требуемый выход, маркируется отрицательным импульсом, подаваемым на управляющий провод у, соединенный с базами транзисторов соответствующей вертикали. Этот импульс имеет амплитуду около - 14 в, следовательно, потенциал базы изменяется от 30 до 16 в. Напряжение между базой и эмиттером выбранного транзистора становится равным - 4 в и он переключается в проводящее состояние. Остальные транзисторы переключаться не будут, поскольку их базы находятся под положительным потенциалом по отношению к эмиттеру. [39]

Микросхема ПЗУ К556РТ4. [40]

Рассмотрим процессы при чтении информации из ПЗУ. При подаче адреса ( адресных групп At и / 12) происходит, как уже рассматривалось выше, выборка определенной четверки транзисторов накопителя. Если перемычка в цепи эмиттера выбранного транзистора не пережжена, ток этого транзистора создает на резисторе напряжение, запирающее соответствующий многоэмиттерный транзистор; если же перемычка пережжена, то многоэмиттерный транзистор открыт. Открытое либо закрытое состояние многоэмиттерных транзисторов МТг... МТ определяет значение разрядов считанного слова. [41]

В большинстве случаев используется схема с ОЭ, обеспечивающая максимальное усиление по мощности с малым уровнем шумов. В ряде случаев на достаточно высоких для выбранного транзистора частотах используется схема с ОБ. [42]

Следует выбирать такой тип транзистора, чтобы значение его предельной частоты fhzla превышало в несколько раз верхнюю граничную частоту каскада. При выборе типа транзистора следует также учитывать возможность его работы в заданных климатических условиях и уровень входного и выходного сигналов. Высота импульсов на выходе каскада влияет на необходимое значение напряжения питания коллекторной цепи, так как она не может быть больше напряжения источника питания. Постоянная времени т выбранного транзистора должна быть во много раз меньше длительности импульсов ти. [43]

Микросхема ПЗУ К556РТ4. [45]

Страницы: 1 2 3 4