Измеряемый транзистор

Cтраница 3

Ошибка, вносимая измерительной установкой.| Импульсный генератор на коаксиальной линии ( tn. [31]

Из этого графика можно заметить что для того чтобы получить ошибку менее 5 %, измерительная установка должна обладать по крайней мере в 3 раза большим быстродействием, чем измеряемый транзистор. [32]

При этом напряжение на эмиттере транзистора 2N497 будет близко к напряжению на его коллекторе ( с точностью до падения напряжения на насыщенном транзисторе 2N497), которое в свою очередь равно напряжению коллектора измеряемого транзистора. [33]

Схема для измерения выходной проводимости транзисторов. [34]

Выходная проводимость измеряется в режиме холостого хода по входной цепи на переменном токе синусоидальной формы с частотой 50 - 1000 гц. Измеряемый транзистор ИТ включен по схеме с общей базой. [35]

Испытуемый транзистор ИТ включают по схеме с общим эмиттером по переменному току и общей базой по постоянному току. Источники И [ и И2 обеспечивают режим работы измеряемого транзистора по постоянному току. Напряжение высокой частоты от генератора высокой частоты ГВЧ через разделительный конденсатор С3 подводится к эмиттерной цепи измеряемого транзистора ИТ. [36]

Испытатель полевых транзисторов Л2 - 48.| Измеритель низкочастотных шумов транзисторов Л4 - 4. [37]

Установка представляет собой супергетеродинный приемник высокой чувствительности с двойным преобразованием частоты, к входу которого присоединяется измеряемое приемное устройство. Для калибровки прибора применяются генераторы шума, которые согласуются с измеряемым транзистором при помощи согласующего устройства входа. [38]

Схема для измерения обратного тока коллектора транзистора. [39]

Величина напряжения контролируется вольтметром V. Величина обратного тока измеряется миллиамперметром тЛ при значении напряжения источника И, указанном в технических условиях на измеряемый транзистор. [40]

Форма импульсных сигналов малой длительности от ГИ сильно отличается от идеальной и, следовательно, вносит большие погрешности в процесс измерения. С целью ограничения этих погрешностей введены условия на параметры переключающих импульсов: длительность фронта включающих импульсов должна быть в 10 раз меньше измеряемых параметров, а длительность запирающего импульса в 5 - 10 раз больше времени рассасывания в измеряемых транзисторах. При измерении выключающих параметров длительность фронта переключающего импульса тока должна быть в 5 - 10 раз меньше, а длительность насыщающего импульса в 10 раз больше измеряемого времени рассасывания. Выброс напряжения на фронте не должен превышать 5 % амплитуды импульса, которая определяется в середине его длительности. Отсчет момента переключения проводится от середины фронта импульса. Необходимо, чтобы время установления переходного процесса в измерителе времени было в 5 раз меньше измеряемой длительности параметра. [41]

Величина тока / б устанавливается около 100 мка. Усилитель AR детектирует поступающие на его вход импульсы, на его выходе будет постоянное напряжение, уровень которого равен амплитуде входных импульсов. Вентиль разрывает цепь эмиттера измеряемого транзистора на промежуток времени, составляющий 2 % периода, и подключает эмиттер к источнику питания UK на время, составляющее 98 % периода. [42]

Предусмотрена также возможность измерения коэффициента а на частотах от 100 кгц до 10 Мгц. Прибор состоит из низкочастотного С-генератора, служащего источником напряжения частоты 270 гц, селективного усилителя, широкополосного усилителя, используемого при измерении параметров на высоких частотах ( источником высокочастотных колебаний служит внешний генератор Г4 - 1А) и схемы коммутации. С помощью последней производятся: изменения схем включения измеряемого транзистора, рода работ, пределов измерений, переключения приборов контроля режима работы транзисторов по постоянному току. [43]

Схема для измерения остаточного напряжения однонере-ходных транзисторов.| Схема для измерения тока включения однопереходных транзисторов. [45]

Страницы: 1 2 3 4