Парной транзистор

Cтраница 1

Парные транзисторы, состоящие из двух отдельных кремниевых эпитаксиально-планарных n - p - п транзисторов с раздельными выводами. [1]

При испытаниях лабораторного макета УВ, собранного на парных транзисторах микросхем типа К1НТ291Г согласно схеме рис. 2, исходный разбаланс на выходе составлял 9 мв; при нагревании схемы до 70 С разбаланс изменился на 3 мв, а исходный ток в нагрузке R18 изменился на 22 мка. [2]

В них происходит частичная ( или полная при использовании парных транзисторов) компенсация температурного дрейфа напряжения базы транзисторов Г2 и 72 что особенно важно при использовании опорного напряжения с малым температурным коэффициентом. [3]

Отметим, что МДУ с упрощенной схемой, в котором в качестве ОУ служит интегральная микросхема 153УД1 без канала МДМ и без подбора парных транзисторов, обеспечивает точность в режиме умножения не хуже 0 1 % при тех же условиях. [4]

Микросхемы, используемые в стабилизаторах напряжения, относятся к классу линейных интегральных микросхем. Были также разработаны парные транзисторы ( например, К1НТ291), изготовленные по планарной технологии единым процессом и помещенные в одном корпусе. [5]

Решение задачи симметрирования параллельно-балансных каска дов значительно облегчилось после разработки интегральной технологии изготовления пары транзисторов с согласованными характеристиками. На основе таких монолитных парных транзисторов удалось создать высококачественные параллельно-балансные каскады, основные параметры которых существенно превосходят параметры таких же схем, выполненных на дискретных элементах при использовании как ламп, так и биполярных транзисторов. [6]

Так как ( / р - /) [ ( / кге - / см), то UKn UKp и при насыщении транзистора типа п-р - п транзистор типа р-п - р оказывается ненасыщенным. Поэтому в схеме триггера на парных транзисторах переходный процесс в конце включения замедляется. [7]

Операционный усилитель с высокий входным сопротивлением. [8]

Дополнительное снижение влияния синфазного сигнала до уровня 80 - 120 дБ обеспечивается отрицательной обратной связью по синфазной составляющей сигнала. Построение аналоговых схем на дискретных элементах даже при тщательном подборе парных транзисторов дает результаты, уступающие приведенным на порядок и более. [9]

Зависимости С / См от параметров входного сигнала в неинвертирующем ( а и инвертирующем ( б включениях операционного усилителя. [10]

В первом случае мощность, рассеиваемая на выходе ОУ, быстро передается на его вход. Наибольшее влияние разницы температур проявляется в парных транзисторах ДУ, где она нарушает баланс дрейфов их эмиттерно-базовых напряжений. При разности температур транзисторов, равной всего лишь доле градуса, значительно превышается обычное значение дрейфа UCM ДУ, равное 5 мкВ / С. Кроме дополнительного увеличения Исы это может создать иллюзию бесконечного коэффициента усиления ОУ или эффект отрицательного выходного сопротивления. Кристаллы полупроводниковых ОУ имеют достаточно малые размеры и высокую однородность структур, обеспечивая в зависимости от конструкции схемы тепловые переходные процессы длительностью Л - 500 икс. Тем не менее при быстром прогреве аппаратуры возможны ошибки, существенно большие ожидаемых значений, обусловленных дрейфом UCM. В этом случае длительность процесса установления UCM может достигать десятков секунд в зависимости от типа ОУ и схемы его включения в аппаратуру. [11]

Страницы: 1