Cтраница 2
Заслуживают отдельного рассмотрения случаи, когда запирающее напряжение на базе недостаточно велико или, когда тнар Тразр, в результате чего напряжение в точке А превышает запирающее напряжение на базе запертого транзистора. В таких случаях оказываются открытыми во время пуска оба диода, и, кроме нормального тока ветви Д1, пусковой конденсатор Cni разряжается также по ветви Д2 - СФ2; ток этой ветви может оказаться значительным, поскольку конденсатор СФ2 практически разряжен. Увеличение заряда конденсатора СФ2 в течение начального пускового периода приводит к потере части информации этим узлом памяти и, следовательно, к уменьшению форсирования базового тока открывающегося транзистора во время опрокидывания триггера. Так, при запертом транзисторе 7 большая амплитуда пускового импульса вызывает повышение падения напряжения на сопротивлении RK и образование ложного положительного импульса на входе диодов Д3, Д4 - При выборе постоянных времени пусковых цепей и экспериментальной отработке схемы триггера необходимо проследить, чтобы амплитуда напряжения в точке А не превосходила бы значительно запирающее напряжение на базе транзистора. [16]
Поэтому при необходимости существенно уменьшить время разряда ускоряющих конденсаторов применяют описанные в гл. Следует отметить, однако, что при наличии этих диодов возрастает длительность t фронта положительного перепада, так как ускоряющий конденсатор во время разряда оказывается теперь подключенным параллельно открывающемуся транзистору и поэтому растягивает указанный фронт. [17]
Триггер может находиться лишь в одном из двух состояний: когда транзистор Т6 полностью открыт, а транзистор Т5 закрыт или когда Т6 закрыт, а 7 %, полностью открыт. Любое другое состояние для него крайне неустойчиво, вследствие чего он из одного состояния в другое переходит скачком. Это происходит благодаря положительной обратной связи между транзисторами через резистор Кзь - Напряжение обратной связи, развиваемое на этом резисторе, всегда направлено так, что уменьшает отрицательный потенциал на базе закрывающегося транзистора и увеличивает его на базе открывающегося транзистора. [18]