Специальный транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Русские называют доpогой то место, где собиpаются пpоехать. Законы Мерфи (еще...)

Специальный транзистор

Cтраница 2


Хотя для транзисторных телевизоров разработаны кинескопы, для модуляции которых достаточно напряжение видеосигнала с амплитудой 20 - 40 В, в видеоусилителях приходится применять специальные транзисторы, которые могут работать при напряжении на коллекторе 50 - 100 В. В переносных транзисторных телевизорах, где напряжение питания всех остальных транзисторов обычно равно 12 В, для питания видеоусилителя используют напряжение, полученное от отдельного импульсного выпрямителя на диоде Дг.  [16]

17 Схемы приема на дециметровых волнах. [17]

В новых транзисторных блоках СКМ для целей АПЧГ применяется электронная подстройка частоты гетеродина с помощью варикапов. Благодаря применению специальных транзисторов и хорошей конструкции колебательных контуров уровень собственных шумов транзисторных СКМ оказывается немногим больше, чем в ламповых блоках.  [18]

Биполярные транзисторы управляются током, вследствие чего они имеют малое входное сопротивление, что в ряде случаев является недостатком. Поэтому были разработаны специальные транзисторы с большим входным сопротивлением - полевые транзисторы.  [19]

Биполярные транзисторы управляются током, потому что они имеют малое входное сопротивление, что в ряде случаев является недостатком. Поэтому были разработаны специальные транзисторы с большим входным сопротивлением - полевые транзисторы.  [20]

В некоторых зарубежных ТУ и каталогах приводятся значения времен переключения 1ВКЛ и выкл. В отечественных ТУ такие параметры введены только для специальных транзисторов, используемых близко к пределу быстродействия, достижимому для этих типов транзисторов. В этих случаях введение нормы на времена переключения в конкретной схеме обеспечивает больший процент выхода транзисторов, способных успешно работать в данной конкретной схеме.  [21]

Мощность, потребляемая цветным телевизором с размером экрана 51 см уменьшена до 75 Вт. Это достигнуто благодаря применению новой схемы полевой развертки с помощью нового типа седловидных строчных отклоняющих катушек с большим числом витков, замене тиристоров в цепи строчной развертки специальными транзисторами и построению оконечных РСВ-каскадов в виде двухтактных схем. Уменьшение потребляемой мощности означает снижение тепловыделения, в результате чего срок службы телевизора увеличивается.  [22]

Транзисторы, рассмотренные в предыдущем параграфе, управляются током, вследствие чего они имеют малое входное сопротивление. Это со схемной точки зрения является их существенным недостатком. Поэтому были разработаны специальные транзисторы с большим входным сопротивлением, которые получили название полевых транзисторов. Термин полевой подчеркивает, что управление выходным током в этом полупроводниковом приборе осуществляется электрическим полем, а не током, как в обычных транзисторах.  [23]

Инерционность реального транзистора зависит от времени переноса носителей в его базе и от емкостей р - n - переходов. Инерционность схемы определяется ее паразитными емкостями. Для увеличения быстродействия транзисторных ключей необходимо использовать специальные транзисторы. В дальнейшем для простоты изложения работы импульсных схем с транзисторными ключами мы будем пренебрегать инерционностью процесса переноса электронов в базе транзистора и учитывать лишь емкости, не разделяя их на паразитные и емкости транзистора.  [24]

В ОУ без преобразования сигнала большое значение имеет величина входного тока / 0 и дрейф этой величины от изменения температуры 1Т и во времени It. В транзисторных ОУ на биполярных триодах величины 1т и It оказываются пропорциональными / о. При работе входных каскадов в режиме микротоков ( коллекторный ток 1 - 10 мка) сравнительно легко удается обеспечить / о порядка 50 - 500 на, при этом IT0 2 - т - 5 яа / С. Применение специальных транзисторов с большим усилением в режиме микротоков позволяет снизить / о до 10 на и 1Т до 0 03 на / С. Если на входе применять полевые транзисторы, то величину / о удается снизить до нескольких наноампер или даже нескольких десятков пикоампер. Однако в этом случае ток / 0 изменяется по экспоненте ( приблизительно удваивается на каждые iO C), что затрудняет его компенсацию.  [25]



Страницы:      1    2