Cтраница 1
Наиболее распространенные транзисторы имеют два р-п перехода. В них используются носители заряда обеих полярностей. Такие транзисторы называются биполярными. [1]
Наиболее распространенные транзисторы ( полупроводниковые триоды) имеют два р - л-перехода. [2]
В настоящее время триоды П13 - П15 являются наиболее распространенными транзисторами для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 2 Мгц. Они могут работать также в импульсных схемах. Триод П13Б является малошумящим ( коэффициент шума 5 - 12 дб) и предназначен для работы во входных каскадах высокочувствительных усилителей низкой частоты. [3]
Группа транзисторов объединяет ряд разновидностей этих приборов, среди которых следует выделить два типа наиболее распространенных транзисторов, отличающихся друг от друга принципом действия, основными характеристиками и параметг рами. [4]
При расчете / ССт и г можно воспользоваться табл. 4.5, в которой приведены параметры наиболее распространенных транзисторов. [5]
![]() |
Схема измерения параметров 1сНач и S полевого транзистора. [6] |
Прибор с миллиамперметром на 1 мА позволяет измерять статический коэффициент передачи тока Ь21э до 100, т.е. наиболее распространенных транзисторов. Прибор с миллиамперметром на ток 5 - 10 мА расширит соответственно в 5 или 10 раз пределы измерений коэффициента Ь21э - Но прибор станет почти нечувствительным к малым значениям обратного тока коллектора. [7]
![]() |
Устройство биполярного транзистора ( а и его условное обозначение ( б. [8] |
Транзисторы представляют собой электропреобразовательные полупроводниковые приборы с одним или несколькими электрическими переходами, пригодные для усиления мощности сигнала и имеющие три ( или более) внешних вывода. Наиболее распространенные транзисторы имеют два электронно-дырочных перехода. [9]
Как следует из рассмотрения, работа биполярного транзистора основана на процессах перемещения подвижных носителей заряда ( электронов и дырок) через эмиттерный и коллекторный р-гс-переходы. В различных ИМС наряду с наиболее распространенными транзисторами типа п-р - п используются транзисторы типа р-п - р, причем комбинация обоих типов биполярных транзисторов в некоторых случаях позволяет существенно улучшить частотные свойства ИМС и снизить потребляемую мощность. [10]
Параметры и характеристики транзистора в каждой из областей и схем включения различны и зависят от температуры и электрического режима. На рис. 9.2 даны схемы выводов транзисторов, а в табл. 9.7, 9.8 приводятся основные параметры наиболее распространенных транзисторов, используемых в современной радио -, звукозаписывающей и звуковоспроизводящей аппаратуре. [11]