Полевой транзистор - тип
Cтраница 2
Если применить эту схему ( рис. 11.5, а) для условий примера 11.1, то для стабилитрона типа КС168А наиболее подходит полевой транзистор типа К. [16]
 |
Структуры молевых транзисторов с изолированным затвором ( с р-каннлом. [17] |
Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом использован оксид полупроводника, называют полевым транзистором типа металл - оксид - полупроводник или МОП-транзистором. [18]
При необходимости работы с высокоомным источником сигнала постоянного тока можно воспользоваться усилителем [58], схема которого приведена на рис. 3.35. Для повышения входного сопротивления первый каскад собран на полевом транзисторе типа К. Входное сопротивление этого усилителя на низких частотах составляет 10 - 50 МОм, среднее значение температурного дрейфа нуля - 50 - 100 мкВ / С, коэффициент усиления по мощности - 75 - 90 дБ, максимальное неискаженное выходное напряжение - не ниже 12 В. [19]
Выходное напряжение, снимаемое с сигнальных обмоток феррозондов, соединенных последовательно, подается на вход фильтра второй гармоники, собранного на. Выделенное синусоидальное напряжение выпрямляется фазочувствительным детектором, кпол-ненным на полевом транзисторе VI типа КПЮЗ. Выход детектора нагружен RS цепочкой R7C3, выполшуущей роль интегратора. [20]
На рис. 45 показана упрощенная принципиальная схема, а на рис. 46 - лицевая панель блока интегрирования и суммирования БИС-31 АВК-31. В схеме блока для обеспечения высокого быстродействия при задании режимов интегрирования, исходного состояния и фиксации решения применены электронные ключи, построенные на полевых транзисторах типа КП-301Б с изолированным затвором обогащенного типа с Р - каналом. [21]
 |
Инвертор на полевых транзисторах с изолированным затвором. [22] |
При отсутствии сигналов на входах схемы транзисторы заперты и на выходе имеется сигнал логической единицы. Если хотя бы на один вход подать положительный сигнал, то соответствующий транзистор отпирается, и на выходе схемы потенциал понизится. В настоящее время в cxej мах логических элементов широко используются полевые транзисторы типа МДП или МОП. В качестве примера на рис. 11.4 приведены схемы инверторо на полевых транзисторах с изолированным затвором. [23]
Канал полевого транзистора представляет собой область полупроводника с электропроводностью типа п, изменением поперечного сечения которой регулируется поток основных носителей через прибор. Торцы канала являются электродами с омическими контактами, к которым последовательно подключаются источник питания и нагрузка. Электрод, через который в канал втекают основные носители ( здесь электроны), называют истоком, а электрод, через который из канала они вытекают, - стоком. У полевого транзистора типа п на сток подается положительный потенциал относительно истока. Проводящий канал заключен между двумя р-и-переходами. Затвор предназначен для регулировки поперечного сечения канала. На затвор подается напряжение U3, смещающее р-п-пе-реходы в обратном направлении. При изменении потенциала затвора меняется толщина переходов и соответственно сечение канала. Полевой транзистор является прибором, управляемым не током, а напряжением. [24]
Страницы: 1 2