Тонкопленочный полевой транзистор

Cтраница 1

Зависимость VT ( а и м / г / Г ( б юлщины пленки d 31. до ( / и после ( 2 гидрогенизации. [1]

Тонкопленочные полевые транзисторы с МОП-структурой были изготовлены на основе поликристаллических пленок кремния толщиной - 0 3 - 1 0 мк. Подзатворный диэлектрик толщиной 4800 А был нанесен методом химического осаждения при 400 С. Области стока и истока были созданы путем имплантации и последующего отжига. Затворный электрод и контакты были созданы напылением алюминия. [2]

Зависимость VT ( Д и м / г / г ( б юлщины пленки У 31. до ( / и после ( 2 гидрогенизации. [3]

Тонкопленочные полевые транзисторы с МОП-структурой были изготовлены на основе поликристаллических пленок кремния толщиной - 0 3 - 1 0 мкм. Подзатворный диэлектрик толщиной 4800 А был нанесен методом химического осаждения при 400 С. Области стока и истока были созданы путем имплантации и последующего отжига. Затворный электрод и контакты были созданы напылением алюминия. [4]

К -, Тонкопленочный полевой транзистор, Труды инсгитута радиоинженеров ( русск. [5]

Эта технология допускает изготовление тонкопленочных полевых транзисторов с изолированным затвором. [6]

В настоящее время существуют три типа тонкопленочных полупроводниковых приборов: тонкопленочные полевые транзисторы с изолированным затвором ( ТПТ), транзисторы на горячих электронах и полупроводниковые транзисторы и диоды с р-п переходом. Тонкопленочные транзисторы изготавливаются последовательным осаждением различных материалов с применением металлических масок. [7]

Обсуждаются возможности использования эффекта поля в тонких пленках для создания тонкопленочных полевых транзисторов. Обзор Земела содержит богатую библиографию. [8]

Работы по созданию пленочных активных элементов ведутся на большом количестве полупроводниковых материалов с использованием различных физических принципов. Наилучшие результаты получены при разработке тонкопленочных полевых транзисторов. [9]

Конструкция тонкопленочного транзистора. [10]

Потенциальные возможности тонкопленочных схем в значительной степени не используются из-за отсутствия тонкопленочных активных приборов, которые можно создавать вакуумным напылением на изолирующие подложки с помощью технологии, применяемой для изготовления тонкопленочных схем. В значительной степени разрешает эти затруднения тонкопленочный полевой транзистор. Все элементы этого прибора, включая полупроводниковый слой, наносятся на диэлектрическую подложку методом вакуумной конденсации и могут изготовляться в пленочных схемах в едином технологическом цикле с резисторами и конденсаторами. [11]

Несмотря на сравнительно короткую историю, гидрированные полупроводники, и прежде всего пленки a - Si: H и многослойные структуры ( в том числе гетероструктуры) на их основе, уже вышли на рельсы достаточно широкого практического использования. Солнечные батареи, фотоприемники, координатно-чувствительные детекторы ионизирующих излучений, тонкопленочные полевые транзисторы, высокоскоростные пространственные модуляторы света, фоточувствительные слои в электрофотографии и лазерных принтерах, мишени видиконов, светодиоды - вот далеко не полный перечень приборных применений гидрированного кремния и родственных ему материалов. Использование гидрированных полупроводников в современной электронной технике расширяется каждым годом. [12]

Методики приготовления и контроля концентрации носителей были аналогичны используемым в случае фотопрово-дящих слоев. Никаких особенностей в характеристиках такого транзистора, кроме чувствительности по отношению к парам воды, замечено не было. Опыты Пенбейкера оставляют мало надежд на практическое использование поликристаллических пленок сульфида свинца для создания тонкопленочных полевых транзисторов. [13]

Страницы: 1