Любой транзистор
Cтраница 2
Благодаря большой положительной обратной связи даже незначительное изменение потенциала базы любого транзистора приводит к дальнейшему изменению этого потенциала в том же направлении ( например, к уменьшению), вследствие чего процесс имеет лавинообразный характер и заканчивается полным запиранием одного и насыщением другого транзистора. [16]
В схеме усилителя, представленной на рис. 2.25, стабильность коллекторного тока любого транзистора принципиально не может быть сделана выше стабильности тока коллектора первого транзистора. [18]
 |
Фотодатчик. Rl, R2 - МЛТ 0 25. [19] |
Блок питания БП ( рис. 121) собран по стандартной схеме и допускает применение практически любых транзисторов средней мощности. Следует помнить, что все элементы схемы находятся под напряжением сети и потому они должны быть надежно изолированы от корпуса прибора. Он должен иметь выходное напряжение 6 - 9 В при токе нагрузки до 0 2 А. Если трансформатор имеет обмотку на напряжение 130 - 200 В, диод V6 подключают к этой обмотке. [20]
При выборе параметров транзисторов берутся наихудшие параметры ( с учетом допустимого разброса параметров) для того, чтобы любые транзисторы выбранного типа без отбора обеспечивали работоспособность схемы. [21]
Таким образом, переходя периодически из одного временно устойчивого состояния в другое, мультивибратор формирует выходное напряжение, снимаемое с коллектора любого транзистора, почти прямоугольной формы. [22]
Таким образом, переходя периодически из одного временно устойчивого состояния равновесия в другое, мультивибратор формирует выходное напряжение, снимаемое с коллектора любого транзистора, почти прямоугольной формы. [23]
При этом приходится принимать в расчет определенное значение коэффициента передачи и соответствующий этому значению расчетный ток коллектора, при котором надежно обеспечивается режим насыщения любого транзистора данного типа в заданном интервале температур. [24]
 |
Логический элемент ИЛИ на диодах ( а и на транзисторах ( б.| Логический элемент НЕ. [25] |
В схеме рис. 5 - 34, б с транзисторами, соединенными параллельно, транзисторы нормально заперты и управляются подачей отрицательных импульсов на базы: открытие любого транзистора приводит к появлению положительного импульса на выходе. [26]
Как было отмечено выше фактором, ограничивающим ток, является также зависимость коэффициента р от тока, приведенная на рис. 2.30. Характер изменений остается справедливым для любых транзисторов. [27]
 |
Логический элемент ИЛИ на диодах ( а и на транзисторах ( б.| Логический элемент НЕ. [28] |
В схеме рис. 5 - 34, б с транзисторами, соединенными параллельно, транзисторы нормально заперты и управляются подачей отрицательных импульсов на базы: открытие любого транзистора приводит к появлению положительного импульса на выходе. [29]
 |
Логический элемент ИЛИ на диодах ( о и на транзисторах ( б. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5