Мощный высоковольтный транзистор
Cтраница 1
 |
Структура составного транзистора ( а и его электрическая схема ( б. [1] |
Мощные высоковольтные транзисторы предназначены в первую очередь для работы в режиме переключения характеризующемся переходом транзистора из закрытого состояния с высоким обратным напряжением в открытое состояние с большим током коллектора. Этим определяются основные требования к высоковольтным транзисторам: высокое пробивное напряжение коллектор - эмиттер, большой ток коллектора, малое падение напряжения в открытом состоянии, малая длительность переходных процессов. [2]
 |
Выходные ВАХ мощного высоковольтного транзистора в области малых напряжений. [3] |
Например, для мощного высоковольтного транзистора, рассчитанного на рабочий ток 100 А и напряжение [ УКв 600 В при рк50 Ом-см, № ко100 мкм и 5э 1 см2, значение / - Кко0 5 Ом. Работа транзистора в открытом состоянии происходит в области квазинасыщенпя, что обусловливает большие значения напряжения насыщения коллектор-эмиттер f / кэнаси низкие значения коэффициента передачи тока р в открытом состоянии транзистора. [4]
Особого рассмотрения требуют выходные ВАХ мощных высоковольтных транзисторов с ОЭ в области малых напряжений на коллекторе. [5]
Схема транзисторного коммутатора выполнена на кремниевых транзисторах и включает мощный высоковольтный транзистор VT3 ( КТ 848А) и два транзистора предварительного усиления VT1 и VT2 ( 2Т 630Б), которые служат для усиления сигнала датчика импульса. [6]
На резисторе 150 Ом появляется положительное напряжение, которое прикладывается к эмиттерному переходу мощного высоковольтного транзистора. Ом появляется отрицательное напряжение, эмиттерныи переход мощного транзистора смещается в обратном направлении, что обеспечивает его быстрое выключение. [7]
Кирка, квазинасыщения и переходные процессы в режиме больших токов, а также фундаментальные ограничения частотного диапазона мощных и высоковольтных транзисторов, рассмотрена область безопасной работы и физические явления, определяющие ее границы. [8]
БГИС К224УК1 ( одноканальный видеоусилитель) обеспечивает уровень параметров, соответствующих требованиям к телевизионным приемникам унифицированных стационарных цветных телевизоров ( УСЦТ), БГИС содержит в своем составе мощные высоковольтные транзисторы и диоды. Применяется совместно с микросхемами К224ХАЗ в модулях цветности. Мискросхема имеет радиатор, обеспечивающий достаточный теплоотвод. [9]
Высоковольтные транзисторные стабилизаторы ограничены относительно низкими значениями коллекторного напряжения мощного транзистора. Часто бывает необходимо для достижения требуемого номинала напряжения использовать несколько мощных высоковольтных транзисторов, включенных последовательно в плечи моста. Другой метод заключается в стабилизации уровня низкого напряжения и преобразований его в высокое выходное напряжение при помощи преобразователя постоянного тока в постоянный ток. [10]
Интересен и незаслуженно мало распространен третий вид - квазирезонансный, который в значительной мере избавлен от недостатков обоих предыдущих. Идея создания такого преобразователя не нова, но практическая реализация стала целесообразной сравнительно недавно, после появления мощных высоковольтных транзисторов, допускающих значительный импульсный ток коллектора при напряжении насыщения около 1 5 В. [11]
Так как от сопротивления этого слоя зависит сопротивление насыщения транзисторов, то для снижения этого сопротивления могут использоваться методы встречной диффузии и эпитаксиального выращивания. Качество изготовляемых в настоящее время эпитаксиальных пленок не позволяет получать на них высоковольтные транзисторные структуры большой площади. При использовании встречной диффузии оптимальная толщина высокоомного коллекторного слоя должна быть такой, чтобы пространственный заряд достигал начала нязкоомной области при подаче на переход напряжения, близкого к пробивному. По этой причине, а также в связи с тем что разброс толщины высокоомного слоя из-за неточности процессов шлифовки и встречной диффузии может быть довольно большим, в мощных высоковольтных транзисторах высокоомный коллекторный слой приходится изготовлять более толстым, чем это следовало бы сделать в оптимальном случае. В результате сопротивление насыщения мощных высоковольтных транзисторов, изготовленных с помощью встречной диффузии, может оказаться большим. [12]
Так как от сопротивления этого слоя зависит сопротивление насыщения транзисторов, то для снижения этого сопротивления могут использоваться методы встречной диффузии и эпитаксиального выращивания. Качество изготовляемых в настоящее время эпитаксиальных пленок не позволяет получать на них высоковольтные транзисторные структуры большой площади. При использовании встречной диффузии оптимальная толщина высокоомного коллекторного слоя должна быть такой, чтобы пространственный заряд достигал начала нязкоомной области при подаче на переход напряжения, близкого к пробивному. По этой причине, а также в связи с тем что разброс толщины высокоомного слоя из-за неточности процессов шлифовки и встречной диффузии может быть довольно большим, в мощных высоковольтных транзисторах высокоомный коллекторный слой приходится изготовлять более толстым, чем это следовало бы сделать в оптимальном случае. В результате сопротивление насыщения мощных высоковольтных транзисторов, изготовленных с помощью встречной диффузии, может оказаться большим. [13]
Страницы: 1