Кремниевый транзистор - тип
Cтраница 1
Кремниевые транзисторы типа КТ315, используемые в радиовещательных приемниках и радиолах, имеют значение рс. Отличительной особенностью их является то, что они имеют высокую температурную стабильность и могут быть использованы как в каскадах высокой, так и низкой частоты. [1]
Кремниевые транзисторы типа П101 - П103 имеют минимальное остаточное напряжение порядка 1.5 - 3 0 мв и оптимальный ток базы порядка 2 - 4 ма. [2]
Кремниевые транзисторы типа П105 - П106 характеризуются минимальным значением Uo ] порядка 1 0 - 2 0 мв и оптимальным значением тока базы порядка 1 - 2 ма. [3]
Кремниевые транзисторы типа П103 характеризуются настолько малым значением тока / Э, что даже при температуре 100 С величина этого тока составляет всего около 0 03 мка, и, следовательно, влияние обратных токов р-л-переходов на величину полного остаточного тока закрытого транзистора необходимо учитывать только при нормальном включении и однополярном управлении, и то лишь в тех случаях, когда транзисторные модуляторы должны работать при температурах выше 80 ч - - Ь Ю0 С. [4]
Пленарные кремниевые транзисторы типа р-п - р изготавливаются на высокоомных эпитаксиальных пленках р-типа. Этим объясняется возникновение каналов в коллекторной высокоомной р-области. [5]
Динамическое сопротивление кремниевого транзистора типа П103 в случае однополярного управления при температуре 20 С, как видно из рис. 1 - 39, превышает 1 Мом. Полный коэффициент преобразования рассматриваемой схемы модулятора при применении кремниевого транзистора типа П103 равен Ки 0 57 и практически не будет отличаться от значения Ки этой схемы при использовании в ней идеального ключа. [6]
Три каскада на кремниевых транзисторах типа п - р - п соединены по схеме с непосредственной связью. Напряжения эмиттеров транзисторов Tj, T2 и Т3 положительны и возрастают от триода к триоду. Это осуществляется путем включения пробивных диодов Dl и Z) 2 последовательно в эмиттерные цепи транзисторов Т2 и Т3 соответственно. [7]
Радиоприемник Селга-402 собрян на кремниевых транзисторах типа К. [8]
В данном примере можно использовать кремниевый транзистор типа п-р - п марки КТ312Б, обеспечивающий нормальную работу триггера в указанном диапазоне температур и обладающий достаточным быстродействием. [9]
 |
Специальные Конструкции транзисторов с управляющим р - п-пере. [10] |
На рис. 7.13 схематически изображена конструкция современного полевого кремниевого транзистора типа К. Методом диффузии в теле кристалла образован канал - тонкая область с р-проводимостью. Сам кристалл обладает n - проводимостью и является затвором. По краям канала также методами диффузии образованы более массивные участки с р-проводимостью - сток и исток. На них нанесены алюминиевые контакты. Между затвором и каналом образуется р - - переход. [11]
В усилителе постоянного тока на Т3 и Г4 также используются кремниевые транзисторы типа КТ315Г, причем первый каскад усилителя выполнен по схеме с общим коллектором, а второй каскад. [12]
 |
Схема транзисторного модулятора. [13] |
Следует отметить, что при использовании в этой же схеме кремниевого транзистора типа П103, динямичегкое сопротивление которого в закрытом состоянии при однополярном управлении в соответствии с рис. 1 - 39 в этом диапазоне температур больше 1 Мом, коэффициент преобразования напряжения с переходом на однополярное управление практически не уменьшится. [14]
Чтобы можно было работать при высокой температуре, в стабилизаторе используются кремниевые транзисторы типа п-р - п и кремниевые пробивные диоды. Цепь опорного напряжения представляет собой три последовательных опорных диода 1N429, создающих полное напряжение примерно - 18 6 в на базе транзистора Т5 относительно положительной выходной шины. [15]
Страницы: 1 2 3