Точечно-контактный транзистор

Cтраница 1

Точечно-контактные транзисторы отличаются от плоскостных конструкций и принципом действия. [1]

Точечно-контактные транзисторы из кремния представляют меньший интерес. [2]

Точечно-контактные транзисторы на основе фосфида галлия обладают высоким сопротивлением базы и имеют коэффициент усиления по току в схеме с общей базой, близкий к единице. [3]

Первый разработанный тип транзистора был точечно-контактный транзистор, состоящий из двух металлических пружинок - контактов, близко расположенных на германиевой базе. [4]

Существенные процессы, происходящие в точечно-контактном транзисторе и приводящие к усилению по току, напряжению и мощности. [5]

Максимальная допустимая мощность больше, чем у точечно-контактного транзистора и в некоторых случаях достигает нескольких ватт. Паразитные емкости больше, чем у контактных транзисторов, и максимальная рабочая частота редко превышает 1 Мгц. Базу в них делают типа р, и роль, которую играют дырки в рассмотренных до сих пор транзисторах, в них играют электроны. [6]

Вообще говоря, плоскостные полупроводниковые триоды значительно уступают точечно-контактным транзисторам в отношении частотных характеристик. Это связано с гораздо большей собственной емкостью плоскостных р-л-переходов и большим временем пролета неосновных носителей от эмиттера к коллектору. Однако в настоящее время изготовлены образцы плоскостных триодов, не уступающие точечно-контактным триодам и в этом отношении. [7]

Механизм действия транзистора с р-га-переходами по сравнению с механизмом работы точечно-контактного транзистора оказывается относительно несложным. Геометрия его более проста, и здесь нет осложняющих факторов, связанных с природой точечных контактов. Контакты проводника с областями эмиттера и коллектора представляют собой омические контакты большой площади. На работу транзистора они не оказывают существенного влияния. Контакт на узкой площади базы также является омическим. [8]

Правила для определения полярности смещающих напряжений, рассмотренные в связи с обсуждением работы точечно-контактного транзистора и транзистора р-п-р-тнпа, непосредственно применимы и в нашем случае. [9]

Характеристики типичного плоскостного транзистора.| Схематическое изображение конструкции точечно-контактного тра н. [10]

Сравнение с характеристиками плоскостного транзистора ( рис. 2 - 71) показывает, что сопротивление коллектора гк для точечно-контактного транзистора значительно меньше, обычно порядка 50 000 ом. Входное сопротивление совсем низкое, от нескольких сотен ом при малых токах эмиттера и примерно до 50 ом при больших токах. [11]

Для установления правильной полярности напряжений смещения в случае плоскостного триода воспользуемся теми же правилами, которые были ранее сформулированы для точечно-контактных транзисторов. [12]

Приведем некоторые цифры, характеризующие плоскостные триоды p - n - р - и и-р-я-типов, как для иллюстрации сказанного, так и для сравнения с характеристиками точечно-контактных транзисторов. [13]

Механизм действия такого транзистора не был полностью выяснен, а его вольт-амперные характеристики трудно воспроизводились. Впоследствии точечно-контактный транзистор был почти полностью вытеснен плоскостным. [14]

Характеристики типичного.| Условное обозначение транзисторов в схемах. [15]

Страницы: 1 2