Мощный сплавной транзистор
Cтраница 1
 |
Конструкция мощного сплавного транзистора в корпусе с герметизацией горячей сваркой ( а и с холодной сваркой ( б. [1] |
Мощные сплавные транзисторы ( рис. 6 21) отличаются от мало - МОЩНБТХ увеличенной площадью р - - перехода. Для улучшения тешюотвода от коллектора 1 в стальной фланец ложки 7 вставляют медный вкладыш W, к которому крепится коллектор 12, Для уменьшения неоднородности тока по толщине базы используют кольцевую геометрию вывода эмиттера 9, а вывод базы / / имеет форму диска. [2]
 |
Электроды мощных транзисторов. [3] |
Мощные сплавные транзисторы характеризуются некоторыми конструктивными отличиями. Эмиттер таких транзисторов получают вплавлением индия с примесью галлия, что позволяет увеличить коэффициент инжекции и получить токи эмиттера значительной величины. [4]
Мощные сплавные транзисторы отличаются от маломощных прежде всего увеличением площади и периметра р-п переходов. Это необходимо как для обеспечения пропускания больших токов, так и для улучшения теплоотвода от коллектора. [5]
 |
Электроды мощных транзисторов. [6] |
Мощные сплавные транзисторы характеризуются некоторыми конструктивными отличиями. Эмиттер таких транзисторов получают вплавлением индия с примесью галлия, что позволяет увеличить коэффициент инжекции и получить токи эмиттера значительной величины. [7]
 |
Общие виды транзисторов большой. [8] |
Мощные сплавные транзисторы отличаются от маломощных прежде всего увеличением площади р-п-пере-ходов. Это необходимо как для обеспечения пропускания больших токов, так и для улучшения теплоотвода от коллектора. Чаще всего структуру прибора у мощных транзисторов монтируют прямо на фланец корпуса. [9]
 |
Принцип устройства дрейфового транзистора.| Принцип устройства сплавного транзистора. [10] |
Мощные сплавные транзисторы имеют увеличенную площадь переходов, которые изготовляются в форме полос или колец. Для лучшего охлаждения в этих транзисторах коллектор припаивается к кор - - Т п ПУСУ основание которого делается в виде более массивной медной Lf пластинки. Поэтому у мощных транзисторов вывод коллектора I rjf - - обычно соединен с корпусом. [11]
У мощных сплавных транзисторов частота / т не превышает 100 - 200 кГц, но даже удрейфовых мощных транзисторов, у которых частота fT достигает 50 - 100 МГц, она все же ниже, чем у маломощных дрейфовых транзисторов, у которых в настоящее время достигнуты значения / т, составляющие несколько гигагерц. Кроме того, коллекторная емкость у мощных транзисторов может составлять сотни пикофарад, так что в целом мощные транзисторы являются сравнительно низкочастотными. [12]
Таким образом, высокое время жизни в базе мощных сплавных транзисторов нужно не только для того, чтобь обеспечить высокий коэффициент усиления по току, но и для того, чтобы иметь малое базовое сопротивление и. [13]
Очень большое значение для достижения высоких рабочих напряжений в мощных сплавных транзисторах имеет создание необходимых условий на поверхности транзистора. В этих приборах нельзя использовать те средства защиты поверхности, которые применяются в диффузионных транзисторах, так как все эти средства ( защитные пленки окислов или стекол) требуют термообработки при высоких температурах. В то же время от состояния поверхности транзисторной структуры зависит не только ее стабильность, но - и величина пробивного напряжения перехода. [14]
 |
Вид вольт-амперных характеристик ( а. [15] |
Страницы: 1 2