Открытый транзистор

Cтраница 2

Заменяя открытые транзисторы замкнутыми ключами, можно с помощью схем замещения определить напряжение в каждой фазе нагрузки для любого момента времени. [16]

Принципиальная схема устройства выбора программ УВП-3-32. [17]

Через открытый транзистор VT3 напряжение 12 В поступает на контакт 4 ( Ш) и далее через ПС-2-на селектор каналов. [18]

Через открытый транзистор VT9 происходит разряд конденсатора Cl ( A2) по цепи: левая ( по схеме) обкладка Cl - AR2 / 4 - VD6 - VT9 - шасси - R30 - AR2 / 5 - кадровые, отклоняющие катушки ( КК-ОС); правая ( по схеме) обкладка CI. Одновременно происходит подзаряд конденсатора С12 по цепи: AR2 / 9 ( 3tt В) - VD5 - С12 - VD6 - VT9 - шасси. [19]

Через открытый транзистор 3VT8 цепь отключения АПЧГ соединяется с корпусом на время срабатывания моновибратора, обеспечивая блокировку АПЧГ. [20]

Через открытые транзисторы происходит зарядка конденсаторов С2 и С 4 от источника напряжения 12 В. После окончания зарядки транзистор VT1 закрывается по базе положительным напряжением на конденсаторе С2, а транзистор VT2 переходит в усили тельный режим. [21]

Если открытые транзисторы, находящиеся в состоянии насыщения, незадолго до начала процесса запирания перевести в активное состояние, то форма импульсов несколько улучшится. Sfl) наблюдаются своеобразные срезы. [22]

Два транзистора.| Два транзистора, включенные параллельно с помощью соединений, находящихся вне печатной платы. [23]

Однако открытый транзистор в этой схеме будет нагружать другой транзистор, вызывая его преждевременный отказ: транзистор с закороченными электродами может быть выявлен и не выявлен при испытаниях в зависимости от используемых уровней напряжения и испытательного оборудования. [24]

У открытого транзистора база заполнена неравновесными дырками, что создает условия для заполнения медленных состояний. Коллекторный переход транзистора в режиме насыщения находится под небольшим положительным смещением. В этом режиме положительный заряд медленных состояний не проявляет себя. При подаче на коллектор отрицательного напряжения в приповерхностной части перехода начинается умножение носителей. Парные заряды электрон - дырка разделяются в коллекторном переходе. [25]

При открытом транзисторе 7 на верхней половине первичной обмотки w ( ( см. рис. 65) создается напряжение к. [26]

Принципиальная схема логического элемента ТТЛ с гремя. [27]

При открытом транзисторе VT3 диод VD1 также открыт и напряжение в точке А близко к нулю. Транзистор VT6 при этом заперт. [28]

Схема транзисторного реле-регулятора РР-350. [29]

При открытом транзисторе Т2 база Б транзистора ТЗ соединяется с клеммой ( -) А Б и транзистор ТЗ также открывается. Через Э - Б переход транзистора ТЗ ток проходит по цепи: () АБ, ВЗ, диод Д2, Э - Б переход транзистора ТЗ, диод Д1, транзистор Т2, резисторы R7 и R8, масса, клемма ( -) АБ. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5