Низкочастотный транзистор

Cтраница 1

Принципиальные схемы эмиттерного повторителя с индуктивным сопротивлением в цепи базы. [1]

Низкочастотные транзисторы, имеющие большое время пролета т, менее склонны к генерации, так как пороговое значение емкостной нагрузки, вызывающее генерацию, получается у них соответственно выше. [2]

Низкочастотный транзистор типа SFT 253 уже рассмотрен в гл. [3]

Для сплавных низкочастотных транзисторов коэффициент у 1 и возрастает с увеличением напряжения питания. [4]

При низкочастотных транзисторах ( Пб - П16 и др.), имеющих выходную емкость при общем эмиттере во много раз меньше входной емкости следующего каскада параллельная коррекция дает большее расширение полосы, чем последовательная; последовательная коррекция дает примерно те же результаты, что и параллельная лишь при высокочастотных транзисторах ( П401 - П411 и др.), имеющих большее отношение выходной емкости к входной. [5]

Принятая для низкочастотных транзисторов система гибридных ( h) параметров не оптимальна на СВЧ по следующим причинам. Во-первых, на частотах выше 300 - 1000 МГц измерение токов и напряжений не представляется возможным. Во-вторых, включение транзистора в режим короткого замыкания на выходе и холостого хода на входе приводит к его возбуждению. [6]

Обычно рекомендуется применять низкочастотные транзисторы при длительности фронтов ( спадов), превышающих Тф0 5ч - 1 мксек. При более жестких требованиях к длительностям фронтов ( спадов) следует применять более высокочастотные транзисторы. В случае выбора среднечастотных и высокочастотных транзисторов нужно учитывать, что дрейфовые транзисторы обладают худшими ключевыми свойствами, чем сплавные, и предпочтение следует отдавать последним. [7]

Этот параметр для мощных низкочастотных транзисторов является классификационным. [8]

В этом примере рассматривается низкочастотный транзистор с усилением по току. [9]

УДОбны для оценки свойств низкочастотных транзисторов в схемах с общей базой и общим эмиттером при генераторе тока на входе. [10]

Определение базового вывода большинства широко распространенных низкочастотных транзисторов упрощается, если помнить, что они выполнены с выводом базы на корпус. [11]

По диапазону частот различают: низкочастотные транзисторы, работающие на частотах до 3 Мгц; среднечастотные транзисторы, работающие на частотах от 3 до 30 Мгц; высокочастотные транзисторы, работающие на частотах от 30 до 300 Мгц; сверхвысокочастотные транзисторы, работающие на частотах свыше 300 Мгц. [12]

Эти опыты показали, что низкочастотные транзисторы могут работать после облучения интегральным потоком быстрых нейтронов 1015 - 101в нейтрон / см2, если допустимо некоторое изменение параметров схемы. Нужно учесть, что для испытания были выбраны такие материалы и конструкции транзисторов, которые обеспечивают высокую радиационную-стойкость этих транзисторов, например германий с диффузионной базой, обеспечивающий высокое значение предельной частоты передачи тока. [13]

Если в качестве ключей применены низкочастотные транзисторы, то ключевой транзистор может открываться позже, чем произойдет переключение тора. Безусловно, в этом случае работа регистра будет нарушаться. Чтобы исключить это явление, необходимо несколько замедлить нарастание импульса тока в тактовых обмотках торов. [14]

В случае применения в каскаде низкочастотного транзистора на верхних частотах возникают дополнительные искажения, обусловленные частотными свойствами транзистора. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5