Маломощный низкочастотный транзистор

Cтраница 1

Маломощный низкочастотный транзистор ГТ109 ( структуры р-п - р) имеет в диаметре всего 3 4 мм, его масса 0 1 г. Транзисторы этой серии предназначены для миниатюрных радиовещательных приемников. Их используют также в слуховых аппаратах, в электронных медицинских приборах. Диаметр транзисторов ГТ309 ( р-п - р) 7 4 мм, масса 0 5 г. Такие транзисторы применяют в различных малогабаритных электронных устройствах для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. Транзисторы КТЗ 15 ( n - p - п) выпускают в пластмассовых корпусах. Размеры корпуса 7x9x3 мм, масса 0 2 г. Эти маломощные транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. [1]

У маломощных низкочастотных транзисторов ( рис. 4 - 28, а) слой базы обычно монтируется на стальном или медном основании корпуса и вывод базы имеет с корпусом электрический контакт. Отвод тепла от коллекторного перехода осуществляется через тонкую пластинку базы. При этом тепловое сопротивление между переходом и корпусом довольно велико. [2]

В устройстве можно использовать любой маломощный низкочастотный транзистор с возможно более высоким допустимым напряжением между коллектором и эмиттером. Сопротивления резисторов R и R подбирают в зависимости от типа примененного реле. [3]

Электронный метроном. [4]

Для такого аттракциона можно использовать любые маломощные низкочастотные транзисторы, в том числе с малым коэффициентом передачи тока D2i3 а также резисторы и конденсаторы любых типов с номиналами, близкими к указанным на схеме. [5]

Транзисторы МП39 - МП42 ( р-п - р) - самые массовые среди маломощных низкочастотных транзисторов. [6]

Неравенство ( 9 - 62) справедливо практически для всех каскадов, построенных на маломощных низкочастотных транзисторах, работающих в номинальном рабочем режиме и нагруженных аналогичным каскадом. [7]

Максимальное значение емкости коллектор - база СКМакс также обычно указывается в справочных данных; для маломощных низкочастотных транзисторов Ск обычно порядка 30 пф, а для очень высокочастотных типов не более il - 2 пф. [8]

Найденный ток / Ок не должен превышать допустимого для транзистора значения; если же / ок оказывается меньше рекомендуемой для транзистора минимальной величины, при которой гарантируются справочные данные, его увеличивают до / окмин. Для маломощных низкочастотных транзисторов / окмин, обеспечивающий нормальный коэффициент усиления тока транзистора, обычно равен 1 ма; у маломощных высокочастотных транзисторов П403, П416, ГТ311, ГТ313 и др. величина / окмин2 - - 5 ма. [9]

На рис. 34 показана схема простейшего усилителя НЧ, в котором можнс использовать источник питания напряжением 4 5 или 9 В. В усилится применены германиевые маломощные низкочастотные транзисторы. [10]

Схематическое устройство транзисторов структуры р-п - р в разрезе. [11]

Пластинка полупроводника заключена в герметичный металлический корпус. От электродов транзистора и самой пластинки сделаны выводы. У маломощных низкочастотных транзисторов ( рис. 38 - 8, а, в и г) от корпуса обычно изолированы выводы эмиттера и коллектора; у транзисторов средней и большой мощности ( рис. 38 - 9 о-в) изолированы выводы базы и эмиттера. Третий электрод соединен с корпусом. [12]

При расчете транзисторных каскадов следует иметь в виду, что не только гэ, Як. Поэтому ток покоя коллектора широкополосных каскадов с маломощными транзисторами, работающих при малой амплитуде сигнала, обычно берут равным 2 - 3 мА, так как при меньшем токе граничная частота маломощных высокочастотных транзисторов обычно сильно уменьшается. В низкочастотных каскадах предварительного усиления ток покоя коллектора берут порядка 1 мА, так как при меньшем токе у маломощных низкочастотных транзисторов п2 [ э уменьшается и ухудшается стабильность положения точки покоя. [13]

Граничные частоты транзистора обычно медленно растут с увеличением тока коллектора, резко падая при уменьшении его ниже определенного значения; / z2i3 также сильно падает при очень малых токах. Поэтому ток покоя коллектора широкополосных каскадов с маломощными транзисторами, работающих при малой амплитуде сигнала, обычно берут равным 2 - 3 ма, так как при меньшем токе граничная частота маломощных высокочастотных транзисторов обычно резко уменьшается. В низкочастотных каскадах предварительного усиления ток покоя коллектора берут порядка 1 ма, так как при меньшем токе у маломощных низкочастотных транзисторов Azi3 падает и ухудшается стабильность положения точки покоя. [14]

Устройство и конструкция сплавного транзистора структуры р-п - р.| Устройство диффузионно-сплавного транзистора структуры р-п - р. [15]

Страницы: 1 2