Полевой биполярный транзистор
Cтраница 1
Полевые и биполярные транзисторы, полупроводниковые диоды в резисторы, конденсаторы и прочие электронные приборы и радиодетали часто называют элементами радиоэлектронной аппаратуры ( РЭА), или, электрорадиоэлементами, так как они составляют основу функциональных структур, реализующих обусловленные назначением аппаратуры алгоритмы формирования, преобразования, хранения, обработки и воспроизведения сигналов. [1]
 |
Получение быстродействующего интеграль-ого полупроводникового диода из транзисторной структуры ( а. полупроводниковый диод с высоким пробивным обратным напряжением ( б. [2] |
Полевые и биполярные транзисторы, применяемые в интегральных микросхемах, изготовляют по технологии полупроводниковых ИС. В гибридных ИС используют отдельные миниатюрные бескорпусные биполярные транзисторы, выполненные по обычной технологии, поскольку тонкопленочная технология пока не позволяет получать биполярные транзисторы удовлетворительного качества. [3]
Шумовые характеристики полевых и биполярных транзисторов существенно различаются. Шумовой ток полевых транзисторов значительно меньше, чем у биполярных, тогда как напряжения шума, особенно для транзисторов с управляющим р-и-переходом, имеют один и тот же порядок величины. Как следует из схемы замещения, представленной на рис. 4.37, при высокоомном источнике входного сигнала полевые транзисторы имеют значительно меньшие шумы, а при низкоомном шумовые характеристики полевых и биполярных транзисторов примерно одинаковы. [4]
 |
Усилитель с общим истоком с последовательной ( а и параллельной ( б обратной связью.| Схемы усилителей. [5] |
Схемы комбинированных усилителей на полевых и биполярных транзисторах показаны на рис. 120, а-г. [6]
При совместном использовании в усилителе полевых и биполярных транзисторов, имеющих д 10ч - 20 Мгц, каскад на полевом транзисторе часто оказывается наиболее низкочастотным, определяя в значительной мере полосу пропускания всего усилителя. С этой точки зрения анализ частотной характеристики усилительного каскада на полевом транзисторе также очень важен. [7]
В настоящее время разработаны конструкции полевых и биполярных транзисторов СВЧ, предназначенных для генераторов и усилителей, работающих на частотах до 30 ГГц. [8]
 |
Схемы базовых логически элементов на МДП-транзисторах. а - ИЛИ-НЕ. б - М - НЕ. [9] |
С позиций схемотехники основное различие между полевыми и биполярными транзисторами заключается в существенном различии их входных сопротивлений. Благодаря большому входному сопротивлению, транзисторы последующих каскадов практически не оказывают шунтирующего действия на выходное сопротивление предыдущих элементов схемы. [10]
Применяются усилители, выполненные на основе сочетания полевых и биполярных транзисторов. [11]
Очень перспективными являются различные гибридные схемы на полевых и биполярных транзисторах, обладающие хорошими усилительными свойствами при улучшенной температурной стабилизации. Переключающие схемы на полевых транзисторах отличаются низким потреблением мощности при малых рабочих токах, хотя сопротивление их канала во включенном состоянии обычно на порядок превышает сопротивление биполярных транзисторов при насыщении. [12]
Расчет числа двухконтурных каскадов при использовании электронных ламп, полевых и биполярных транзисторов производится в той же последовательности, что и для одноконтурных, однако несколько видоизменяются некоторые расчетные соотношения. [13]
Прибор Л4 - 4 предназначен для измерения коэффициента шума и напряжения шумов низкой частоты полевых и биполярных транзисторов, а также для входного и выходного контроля полевых и биполярных транзисторов. [14]
Прибор Л4 - 4 предназначен для измерения коэффициента шума и напряжения шумов низкой частоты полевых и биполярных транзисторов, а также для входного и выходного контроля полевых и биполярных транзисторов. [15]
Страницы: 1 2