Составной транзистор

Cтраница 3

Если составной транзистор подключается после каскада ОЭ, сопротивление источника сигнала Rc соответствует выходному сопротивлению транзистора в схеме с общим эмиттером. Это сопротивление велико и, следовательно, фазовый сдвиг мал. Для схемы, изображенной на рис. 5 - 7, фазовый сдвиг на входе второго каскада будет значительным, так как выходное сопротивление эмиттерного повторителя весьма мало. [31]

Использование составного транзистора увеличивает коэффициент стабилизации на величину коэффициента усиления по току дополнительного транзистора. [32]

Схема составного транзистора показана на рис. 5.26. Он состоит из двух биполярных транзисторов 7 и Т2; первый из них, менее мощный, включен по схеме с общим коллектором, нагрузкой его является цепь базы второго транзистора. [33]

Применение составного транзистора дает возможность согласовать низкоомную нагрузку с высокоомным С-фильтром. Так как ток транзистора Т ъ мал, то величина сопротивления R будет достаточно большой и величину емкости конденсатора Ci можно значительно уменьшить. [34]

Разновидность составного транзистора - схема Шиклаи ( рис. 40, б), выполняемая на комплементарной паре ( п-р - п, VT1 и р-п - р; VT2) транзисторов, обладающая примерно такими же параметрами, как и схема Дарлингтона. [35]

Применение составного транзистора ( рис. 4 - 29, а) в повторителе увеличивает напряжение б б-эл примерно до 1 4 В. [36]

Применение составных транзисторов для схем микромощных повторителей менее эффективно, чем для микромощных усилителей. Хотя повторители на составных транзисторах и позволяют получать заданные входные сопротивления при гменьших, чем в обычных микромощных эмиттерных повторителях, сопротивлениях Ra, максимально возможное входное сопротивление у них оказывается меньшим, чем у обычных эмиттерных повторителей. Это определяется уменьшением эквивалентного сопротивления коллекторного перехода у составного транзистора по сравнению с сопротивлением коллекторного перехода эмиттерного повторителя на одном транзисторе. [37]

Использование составного транзистора увеличивает коэффициент стабилизации на величину коэффициента усиления по току дополнительного транзистора. [38]

Схема Дарлингтона. [39]

Обозначение составного транзистора, выполненного из двух отдельных транзисторов, соединенных по схеме Дарлингтона, указано на рис. 2.1 а. Первый из упомянутых транзисторов включен по схеме эмиттерного повторителя, сигнал с эмиттера первого транзистора поступает на базу второго транзистора. Достоинством этой схемы является исключительно высокий коэффициент усиления. В действительности усиление будет даже несколько большим, так как общий коллекторный ток составного транзистора равен сумме коллекторных токов пары входящих в него транзисторов. [40]

Схема регулятора напряжения 2. [41]

Запирание составного транзистора VT4, VT5 вызывает резкое понижение потенциала его коллектора. При этом в цепи переход эмиттер - база транзистора VT2, резистор R9, конденсатор С2 появляется ток. [42]

Запирание составного транзистора VT4, VT5 вызывает резкое понижение потенциала его коллектора. [43]

Базой составного транзистора является вывод базы транзистора Т, эмиттером - вывод эмиттера транзистора Т, а коллектором - соединенные вместе выводы коллекторов того и другого транзисторов. Составной транзистор эквивалентен транзистору с новыми параметрами. Аналога в схемах с электронными лампами он нг имеет. Состав - составного транзистора является суммой коллек-ной транзистор. Оба транзистора могут быть одного типа, либо транзистор Т может быть относительно более мощным. [44]

Использование составных транзисторов с дополнительной симметрией позволяет при помощи мощного n - p - п п маломощного p - n - р транзисторов получить мощный эквивалентный p - n - р транзистор. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5