Тянутый транзистор

Cтраница 1

Тянутый транзистор изготавливается из прямоугольного стержня ( рис. 1 - 2), отрезанного от германиевого кристалла, вытянутого из расплава, к которому были добавлены соответствующие примеси. Эмиттерные и коллекторные контакты присоединяют к концам полупроводникового стержня, а базовый контакт присоединяется к области базы, расположенной между областями эмиттера и коллектора. Затем к обоим шарикам присоединяются эмиттерные и коллекторные контакты, а базовый контакт присоединяется к пластинке. [1]

Тянутые транзисторы обладают высоким напряжением и коэффициентом усиления, применяются в линейных усилителях, видеоусилителях и высоковольтных релаксационных генераторах. [2]

Чувствительность в разных точках и спектральная чувствительность фотодиода р-п ( типа ТР50.| Сплавной плоскостной транзистор.| Конструкция и характеристика фотодиода ( типа ТР50. [3]

Тянутые транзисторы получают путем медленного вытягивания монокристалла из расплава, в который последовательно вводят примеси донорные и акцепторные; при этом а монокристалле получаются зоны с разными типами проводимости. При изготовлении ступенчато-тянутых транзисторов в расплаве находятся одновременно определенным образом подобранные доноры и акцепторы. Необходимое чередование слоев с различной проводимостью достигается путем1 изменения скорости вытягивания кристалла из расплава. [4]

Конструкция точечного транзистора.| Этапы изготовления и жоиструкци выращенного транзистора. [5]

Выращенные или тянутые транзисторы были первыми плоскостными транзисторами. [6]

Подготовленный к сплавлению элемент герма. [7]

К бездрейфовым относятся сплавные, микросплавные и тянутые транзисторы, к дрейфовым - p - n - i - p, сплавно-диффузион-ные, конверсионные и планарные. [8]

Расположение канала в случае сплавного перехода. [9]

Рассмотренный случай относится к структуре тянутого транзистора. [10]

Уменьшение полного сопротивления базы в случае тянутого транзистора дает лучшие высокочастотные характеристики. Оказывается, что у транзисторов со сплавными или резкими переходами выражения для г б, полученные в соответствии с решением трехмерной задачи, достаточно запутанные. Полный анализ2) дает такие громоздкие выражения г 6 с множеством неизвестных параметров, что польза от этих выражений становится сомнительной. [11]

Это ограничение касается только сплавно-диффузионных транзисторов р-п - р и иногда тянутых транзисторов. [12]

Важность тщательной промывки переходов непосредственно после травления была подчеркнута для случая тянутых транзисторов в гл. Аналогичные соображения в равной степени относятся и к сплавным транзисторам. Загрязнения, удерживаясь на поверхности полупроводника в виде ионов или пленок, могут оказывать влияние на поверхностный потенциал и, таким образом, на свойства прибора. Кроме того, такие загрязнения, в особенности при высокой температуре, часто реагируют непосредственно с полупроводником или окружающей средой, что отрицательно сказывается на стабильности параметров. Если загрязнения абсорбированы в толще оксидного слоя или хемосорби-рованы на его поверхности, то их трудно удалить даже продолжительной промывкой в очень чистой воде. Имеются доказательства, что продолжительная промывка даже отрицательно сказывается на токе насыщения в случае сплавных р-п переходов. Триоды, протравленные в травителе III, были быстро ополоснуты в воде и высушены, а затем измерены на пробивное напряжение. После этого приборы были разделены на две группы. [13]

Таким образом, максимальный номинальный коэффициент усиления мощности изменяется с частотой со скоростью 20 дб на декаду для транзисторов с резкими переходами и со скоростью 15 дб на декаду для тянутых транзисторов. [14]

Ниже приводится классификация транзисторов по пяти основным группам: тянутые, сплавные, электрохимические, диффузионные и эпитаксиальные. Такая классификация несколько произвольна, так например, тянуто-диффузионный транзистор можно считать как тянутым транзистором, так и диффузионным. На рис. 1 - 1 приведена диаграмма, которая иллюстрирует связь между различными технологическими методами изготовления транзисторных структур. [15]

Страницы: 1 2