Аналогичный транзистор

Cтраница 1

Аналогичные транзисторы для двухтактных каскадов УНЧ рекомендуется подбирать как при малых, так и при больших коллекторных токах. Маломощные транзисторы при определении величины Р испытывают на токи 1 - 2 и 15 - 20 ма, средней и большой мощности - на 5 - 10 и 50 - 200 ма. Следует помнить, что от тщательности подборки аналогичных транзисторов для работы в двухтактных оконечных каскадах УНЧ в основном зависит степень нелинейных искажений на выходе приемника. [1]

МДП-резисторы ИМС выполняются теми же методами, что и аналогичные транзисторы, в едином технологическом цикле. [2]

Фототранзисторы и транзисторные аналоги. [3]

На рис. 1.25 показаны три основных типа фототранзисторов с соответственными им аналогичными транзисторами. Они расположены по порядку: точечнокон-тактный фототракзистор, р-п-плоскостной фототранзистор и n - p - п-плоскостной фототранзистор. [4]

Усилитель промежуточной частоты состоит из двух каскадов, включенных по каекодной схеме с параллельным питанием. Первый каскад собран на транзисторах Тз, Ть типа П423, второй - на аналогичных транзисторах Т, Те. [5]

Усилитель промежуточной частоты состоит из двух каскадов, включенных по каскодной схеме с последовательным питанием. Первый каскад собран на транзисторах Т -, Т6 типа ГТ310А, второй - на аналогичных транзисторах Тт, Tg. Катушка LI с последовательно включенным резистором Rn составляют нагрузку первого каскада. Полоса пропускания контура 40 - 50 кГц, причем на общую избирательность приемника он не влияет. УПЧ, можно сделать 1: 1 5 - 1: 2, что н - зволит повысить напряжение ПЧ на детекторе и снять с него напряжение низкой частоты с малыми нелинейными искажениями. [6]

База в германиевом транзисторе типа п-р - п имеет ширину 0 025 мм. Определить: а) время, необходимое неосновным носителям для пролета базы; б) время, необходимое неосновным носителям для пролета базы в аналогичном транзисторе типа р-п - р; в) каким частотам переменного напряжения соответствуют найденные значения времени пролета. [7]

Изображенные на рис. 6.8 структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с электропроводностью n - типа. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность р-типа. Если же аналогичные транзисторы созданы на подложке с электропроводностью р-типа, то канал у них будет иметь электропроводность и типа. [8]

Изображенные на рис. 6.8 структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с электропроводностью л-типа. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность р-типа. Если же аналогичные транзисторы созданы на подложке с электропроводностью р-типа, то канал у них будет иметь электропроводность п-типа. [9]

Структуры полевых транзисторов с изолированным затвором ( с р-каналом. [10]

Изображенные на рис. 6.8 структуры полевых транзисторов с изолированным затвором имеют подложку с электропроводностью н-типа. Поэтому сильнолегированные области под истоком и стоком, а также индуцированный и встроенный канал имеют электропроводность р-типа. Если же аналогичные транзисторы созданы на подложке с электропроводностью р-типа, то канал у них будет иметь электропроводность п-типа. [11]

Методы изоляции элементов в полупроводниковых ИС. [12]

Учитывая преимущества кремниевых биполярных транзисторов п-р - п типа по сравнению с транзисторами р-п - р типа в ИС на биполярных транзисторах обычно используются трехслойные п-р - п структуры. Из этих структур формируются транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы. Чтобы транзисторы ИС не уступали аналогичным транзисторам, изготовленным в виде дискретных элементов, глубина залегания переходов и распределение примесей оптимизируются применительно к требованиям транзисторных структур. [13]

Страницы: 1