Испытываемый транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
"Человечество существует тысячи лет, и ничего нового между мужчиной и женщиной произойти уже не может." (Оскар Уайлд) Законы Мерфи (еще...)

Испытываемый транзистор

Cтраница 2


Самодельными элементами являются: корпус прибора, шкала, которую следует градуировать в индивидуальном порядке ( наносить отдельно деления р, аналогично, как и в предыдущем приборе), колодка или зажимы для подключения испытываемых транзисторов, контурные катушки и некото-рые проволочные сопротивления. При налаженной системе калибровки сначала проверяется работоспособность прибора при измерениях коэффициента усиления, обратного тока коллекторного перехода и начального тока коллектора. Для этой цели сначала проверяют несколько экземпляров транзисторов на фабричном приборе, а после сверяют показания.  [16]

Ручки Ток базы ( Грубо, Точно), Калибровка поворачивают в крайнее положение против часовой стрелки. Испытываемый транзистор вставляют в панельку, имеющую обозначения ЭБКЭ согласно маркировке. Затем переводят ручку первого переключателя в положение р-л - р или л-р - л в зависимости от типа транзистора. Неправильное переключение приводит к подаче на транзистор напряжения обратной полярности и может вывести его из строя.  [17]

Проверка транзисторов производится так. Испытываемый транзистор включают в гнезда Э, Б и К.  [18]

Подсоединяется испытываемый транзистор через отдельную колодку. При отсутствии такой возможности используются любые клеммы небольших размеров.  [19]

Входное сопротивление hi 1 измеряют по схеме с общей базой в режиме короткого замыкания коллекторной цепи по переменному току. В цепь эмиттера испытываемого транзистора ( рис. 41, о) подают от звукового генератора через сопротивление RT переменный ток частотой 50 - 1000 гц. При положении переключателя 2 измеряется переменное напряжение U2 - между эмиттером и базой транзистора.  [20]

21 Схема установки для осцпл-лографпрования преобразовательных характеристик транзистора.| Три вида зависимостей остаточного напряжения от напряжения модуляции, встречающихся в различных образцах транзистора П106. [21]

В современных кремниевых транзисторах зависимости остаточного напряжения от напряжения модуляции различаются не только количественно, но и качественно даже в пределах одной партии однотипных приборов. Между базой и коллектором испытываемого транзистора и между горизонтальными пластинами осциллографа подается синусоидальное напряжение.  [22]

Иногда перед включением в аппаратуру транзисторы проверяют с помощью омметра. Это может вызвать полный выход транзистора из строя. Многие омметры дают гораздо большее напряжение и ток, чем те, на которые рассчитаны транзисторы. Прежде чем выполнять такую проверку, необходимо выяснить предельно допустимые величины тока и напряжений для испытываемого транзистора, затем убедиться, что омметр, которым предстоит пользоваться, обладает высоким входным сопротивлением и дает малый ток.  [23]

При определении а и hzz устанавливают соответствующий переключатель отсчета параметров ( 5j или В2) в верхнее положение и отсчитывают по шкале индикатора величину измеряемого параметра. Обратный ток коллекторного перехода / ко измеряют при разомкнутой цепи эмиттера в мка. Переключатель В2 устанавливают в нижнее положение ( / ко), В4 в положение р-п - р или п-р - п, BI и В3 - в среднее положение. При-измерении / ко микроампер метр отключается от схемы транзисторного милливольтметра и используется для измерения величины обратного тока коллекторного перехода у испытываемого транзистора. Шкала индикатора / ко имеет градуировку от 0 до 50 мка.  [24]



Страницы:      1    2