Оконечный транзистор

Cтраница 1

Оконечные транзисторы должны быть укреплены на теплоотво-дящей пластине достаточных размеров. Температура полупроводникового перехода транзисторов ни в коем случае не должна превышать 155 С. [1]

Изменение схемы оконечной ступени для уменьшения тока покоя. [2]

Оконечные транзисторы не нуждаются в теплоотводноп пластине, поскольку они используются не на максимальной мощности. Если есть такая возможность, следует использовать пару подобранных транзисторов. [3]

Оконечные транзисторы GD607, GD617 должны быть электрически изолированы от теплоотводных пластин при помощи слюдяных прокладок и изолирующих втулок. Слюдяные прокладки не должны быть толще 0 1 мм, иначе транзисторы будут плохо охлаждаться. [4]

Уровни напряжений сигнала в тракте усиления магниторадиолы Россия-101 - стерео. [5]

Оконечные транзисторы для лучшего отвода тепла установлены на радиаторе. [6]

Принципиальная электрическая схема блока защиты. [7]

Защита оконечных транзисторов от перегрузок при уменьшении нагрузки выполнена на транзисторах VT9 и VT10 и осуществляется с помощью моста R26 ( R27), R24 ( R25), R34 ( R35) и R нагрузки. При уменьшении нагрузки происходит разбаланс моста, транзисторы VT9 и VT10 открываются, шунтируя оконечный каскад. [8]

Коллекторные токи оконечных транзисторов должны быть одинаковыми. Минимальное допустимое сопротивление этих резисторов соответствует максимально допустимому току коллектора оконечных транзисторов. При меньшем сопротивлении этих резисторов при коротких замыканиях на выходе устройства оконечные транзисторы могут выйти из строя. [9]

Устройство зашиты оконечных транзисторов и дифференциальный входной каскад отсутствуют. Изменение фазы входного сигнала, поступающего к гнезду Гн1, производится с помощью фазоинвертора на транзисторе Т8, собранного по схеме с разделенной нагрузкой. Это значит, что напряжения сигнала, подаваемые с выходов каскада на транзисторе Т8, равны по амплитуде, но противоположны по знаку, что и требуется для нормальной работы усилителя по мостовой схеме. [10]

Устройство защиты оконечных транзисторов и дифференциальный входной каскад отсутствуют. Изменение фазы входного сигнала, поступающего к гнезду Гн1, производится с помощью фазоинвертора на транзисторе Т8, собранного по схеме с разделенной нагрузкой. Это значит, что напряжения сигнала, подаваемые с выходов каскада на транзисторе Т8, равны по амплитуде, но противоположны по знаку, что и требуется для нормальной работы усилителя по мостовой схеме. [11]

Для отвода тепла оконечные транзисторы VT10 и VT12 выходного каскада УЗЧ установлены на специальном радиаторе. [12]

Допустимые изменения режима оконечного транзистора задаются ( принимаются) при его расчете. [13]

Регулировка тока покоя оконечных транзисторов осуществляется резисторами R23 и R26, Конденсаторы С / 3, С / 5, С / 7 и С / 4, С16, С / 8 цепи R19, СП и R2I, С / 2 предотвращают самовозбуждение усилителен мощности. [14]

Полупроводниковая интегральная схема усилителя звуковой частоты типа К1УС731 ( А, Б, В. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5