Изопланарный транзистор

Cтраница 2

В схемах а, б и д напряжения пробоя определяются условиями лавинного пробоя эмиттерного перехода. Для большинства ИС это напряжение составляет 5 - 7 В. Оно равно напряжению пробоя коллекторного перехода. В изопланарных транзисторах с эпитаксиальной базой оно является более низким из-за смыкания областей объемного заряда эмиттерного и коллекторного переходов. [16]

Толщина эпитаксиального слоя составляет всего 1 - 2 мкм. В транзисторах с эпитаксиаль-ной базой область объемного заряда на переходе коллектор - база распространяется преимущественно в глубь базы. Это приводит к значительному снижению напряжения пробоя коллектор - база. Отсутствие паразитных емкостей боковых поверхностей изолирующих р-п переходов, значительное уменьшение площади транзистора и паразитной емкости нижнего изолирующего р-п перехода приводят к повышению граничной частоты изопланарных транзисторов. Этому способствует также малое сопротивление цепи вывода коллектора. [17]

Неоднородные ЯС-структуры со ступенчатым ( а, б и плавным ( в, г изменением параметров. [18]

Расширение усилительных свойств биполярных транзисторов ИС до 3 - 4 ГГц достигается уменьшением размеров структур. Глубина залегания перехода коллектор - база уменьшается до 0 5 мкм, а перехода эмиттер - база до 0 15 мкм. Это, однако, приводит к уменьшению допустимого напряжения коллектор - эмиттер, которое обычно не превышает 5 - 6 В. Для снижения последовательных сопротивлений цепей базы и коллектора увеличивают уровень легирования ге - области коллектора и р - области базы. Оптимизация сопротивления базовой области, примыкающей к эмиттеру, достигается с помощью метода ионного внедрения путем введения примеси сквозь эмиттер. В отличие от конструкции изопланарного транзистора, приведенного на рис. 3 - 29, используется не одна, а несколько эмиттерных областей, выполненных в виде узких полосок шириной 1 - 2 5 мкм. [19]

Страницы: 1 2