Cтраница 4
Трапецоэдры - сходные с дипирамидами формы. Мнемоническое правило для распознавания правых и левых форм следующее: грань трапецоэдра поворачивают к себе; более длинная сторона из двух неравных указывает на левый или правый трапецоэдр. [46]
Трапецоэдры - сходные с дипирамидами формы. Мнемоническое правило для распознавания правых и левых форм следующее: грань трапецоэдра поворачивают к себе; более длинная сторона из двух неравных указывает на левый или правый трапецоэдр. [47]
Трапецоэдры - сходные с дипирамидами формы. Мнемоническое правило для распознавания правых и левых форм: грань трапецоэдра поворачивают к себе, более длинная сторона, из двух неравных, указывает на левый или правый трапецоэдр. [48]
Кристаллы природного и синтетического кварца, как и любые другие кристаллы, образующиеся из раствора, самоограняются в процессе роста. Габитус кристаллов кварца в том случае, если они растут на точечных затравках, в основном определяется отношением скоростей роста комплекса наиболее медленно нарастающих граней. Для природных кристаллов основными га-битусными гранями, как правило, являются грани т, R и г. Иногда на кристаллах присутствуют в подчиненном развитии ге-лиэдрические грани отрицательной дипнрамиды 1121, тригональ-иого трапецоэдра ( чаще всего 5161) и острейших ромбоэдров с различными символами. [49]
Ромбическая сингония: 5, 6, 1 - ромбические тетраэдр, пирамида, дипирамида. Тригональная сингония: 8, 9, 10 - тригональные призма, пирамида, дипирамида; 11, 12, 13 - дитригональные призма, пирамида, дипирамида; 14 - трапецоэдр. Тетрагональная сингония: 15, 16, 17 - тетрагональные призма пирамида, дипирамида; 18, 19, 20 - дитетрагональные призма, пирамида, дипирамида; 21 - тетраэдр; 22 - ромбоэдр; 23 - скаленоэдр; 24 - трапецоэдр. Гексагональная сингония: 25, 26, 27 - гексагональные призма, пирамида, дипирамида; 28, 29, 30 - дигексагональные призма, пирамида, дипирамида; 31 - скаленоэдр; 32 - тра - Jg пецоэдр. [50]
Эти грани расположены под косыми углами к главной оси и составляют неравные углы с осями 2, перпендикулярными главной оси. Верхняя и нижняя пирамидки трапецоэдров, связанные друг с другом поворотом вокруг оси 2, повернуты друг относительно друга на угол, не фиксированный операциями симметрии кристалла. В этом состоит отличие трапецоэдров от дипирамид, с которыми их легко спутать. [51]
Как уже указывалось выше, на растущем кристалле образуются преимущественно грани с малой скоростью роста. Анизотропия скоростей роста граней кварца такова, что грани трапецоэдра и дипирамиды зарастают всего быстрее, а грани призмы развиваются лучше всех остальных граней. Все грани обычно неодинаково развиты. Отличить правый кристалл от левого можно по маленьким граням трапецоэдра и дипирамиды, которые у правого кристалла повернуты вправо, у левого - влево. В большинстве природшлх кристаллов этих граней нет, чаще всего кварц бывает огранен лишь призмой и двумя ромбоэдрами, и тогда только по огранке отличить правый кристалл от левого уже не удается. [52]
Кроме этих 18 простых форм, в средних сингониях встречаются еще и другие. На рис. 47 изображены три трапецоэдра: тригональный, тетрагональный и гексагональный. Эти фигуры отличаются от соответствующих дипирамид тем, что нижняя половина их находится не точно под верхней, а смещена относительно нее а некоторый угол. На рис. 48 изображены триго-нальная дипирамида ( а), тритона льный трапецоэдр ( б) и их стереографические проекции. [53]
Последняя отчетливо видна у кристалла апатита. Однако в этом виде симметрии 6mm имеются вертикальные плоскости симметрии. Общая форма ( ди-гексагональная пирамида) не представлена. Общая форма - - гексагональный трапецоэдр, частные формы-гексагональная призма, гексагональная бипирамида и др. Кристалл берилла. [54]
Значительное влияние на устойчивость быстрорастущих граней оказывает состояние поверхности затравки - перед началом кристаллизации. Если наращивание производится на плоскую поверхность, то зачастую, даже в неблагоприятных физико-химических условиях, вырождение грани пинакоида начинается после того, как успевает сформироваться 5 - 10-миллиметровый бездефектный монокристальный слой. И, наоборот, углубления и каналы травления затравки стимулируют образование в этих местах ромбоэдров ( или граней близких к ним индексов), которые в зависимости от параметров синтеза либо быстро выклиниваются, оставляя над поверхностью затравки многочисленные клиновидные паразитные пирамиды, либо разрастаются. В последнем случае грань базиса трансформируется в многоглавую поверхность регенерации, скорость роста которой значительно ниже скорости роста грани с. Очевидно, за счет действия входящих углов субиндивиды покрываются поверхностями сложной формы, которые следует относить к трапецоэдрам. В отдельных опытах кристаллы синтезировались в условиях, когда грани г и трапецоэдров росли с одинаковыми скоростями и, вероятно, в силу этого не вытесняли друг друга. Мелкие ( 0 5 мм2) грани трапецоэдров появляются также в местах зарастания каналов травления затравки ( по три грани над каждым каналом) и образуют столбчатые трехгранные паразитные пирамиды, ориентированные в материале пирамиды с взаимно параллельно и параллельно оси симметрии третьего порядка. [55]
Значительное влияние на устойчивость быстрорастущих граней оказывает состояние поверхности затравки - перед началом кристаллизации. Если наращивание производится на плоскую поверхность, то зачастую, даже в неблагоприятных физико-химических условиях, вырождение грани пинакоида начинается после того, как успевает сформироваться 5 - 10-миллиметровый бездефектный монокристальный слой. И, наоборот, углубления и каналы травления затравки стимулируют образование в этих местах ромбоэдров ( или граней близких к ним индексов), которые в зависимости от параметров синтеза либо быстро выклиниваются, оставляя над поверхностью затравки многочисленные клиновидные паразитные пирамиды, либо разрастаются. В последнем случае грань базиса трансформируется в многоглавую поверхность регенерации, скорость роста которой значительно ниже скорости роста грани с. Очевидно, за счет действия входящих углов субиндивиды покрываются поверхностями сложной формы, которые следует относить к трапецоэдрам. В отдельных опытах кристаллы синтезировались в условиях, когда грани г и трапецоэдров росли с одинаковыми скоростями и, вероятно, в силу этого не вытесняли друг друга. Мелкие ( 0 5 мм2) грани трапецоэдров появляются также в местах зарастания каналов травления затравки ( по три грани над каждым каналом) и образуют столбчатые трехгранные паразитные пирамиды, ориентированные в материале пирамиды с взаимно параллельно и параллельно оси симметрии третьего порядка. [56]