Дислокация - кристаллическая решетка
Cтраница 1
Дислокации кристаллических решеток, которые могут иметь различные формы, ответственны за механические свойства твердых тел; ковкость и хрупкость. Такие дислокации появляются при нарушении правильности упаковки решетки атомов или ионов. Это может произойти по разным причивам. Одной из возможных причин является то, что рост кристаллов происходит так быстро, что атомы не имеют достаточно времени, чтобы занять положения с низшей потенциальной энергией и удержаться в этом положении до отложевня следующего слоя атомов. Другой причиной может быть присутствие примесного атома, который в непосредственной близости от себя искажает решетку. [1]
Сравнительно новым подходом к изучению кинетики окисления является исследование влияния дислокаций кристаллической решетки графита на развитие процесса окисления. Винтовые дислокации на поверхностях скалывания ( кливажа) можно различить в виде ступенек, которые резко обрываются в месте дислокации. В непосредственной близости от дислокаций кристалл испытывает сильные механические напряжения и поэтому обладает более высокой реакционной способностью, чем в других местах. [2]
Первичные центры находятся как на наружной поверхности микрокристалла, так и на внутренних поверхностях по месту дислокаций кристаллической решетки. [3]
При низких скоростях деформации упрочнение может происходить как за счет дислокации, так и за счет структурных и фазовых гревращений, если они имеют место, а при высоких скоростях резания упрочнение будет происходить главным образом за счет дислокации кристаллической решетки, так как структурные превращения в зоне стружкообразования не успевают совершиться. [4]
Этому вопросу посвящено очень много работ. Хашимото и Уеда [544] первыми показали, что дислокация кристаллической решетки изображается дислокацией же в картине муара. [5]
Герни и Моттом ( их теория изложена в [83]) и позднее дополнены Митчеллом. Согласно представлениям Митчелла и Мотта [79], центры скрытого фотографического изображения представляют собой положительно заряженные частицы серебра, расположенные либо на поверхности микрокристалла галогенида серебра, либо ( в случае внутреннего скрытого изображения) на дислокациях кристаллической решетки. Минимально стабильным центром проявления может считаться группа из четырех атомов серебра, имеющая один положительный заряд ( Agl), для образования которой требуются три фотоэлектрона. Основная роль сульфида серебра при формировании центров проявления сводится к образованию ловушек для положительных дырок ( атомов Вг), после захвата которых молекула сульфида диссоциирует на ион AgS - и ион Ag, уходящий в достаточно удаленное междуузлие ( решетки м0крокристал - ла. Скрытое изображение, возникает, по-видимому, не только за счет увеличения количества свободного серебра при фотолизе, но и в результате перераспределения его атомов; положительные дырки окисляют свободное серебро в некоторых первичных центрах, а фотоэлектроны восстанавливают ионы серебра, но в других местах. [6]
 |
Зависимость скорости. [7] |
На рис. 7.51 в качестве примера показано увеличение скоростей поверхностных и объемных волн в закаленных сплавах алюминия при их старении. При нем происходит выделение частиц с иной кристаллической структурой ( фаз) и переход кристаллической решетки твердого раствора в более равновесное ( упорядоченное) состояние. Такие же изменения наблюдаются при отпуске закаленной стали. Создание неоднородных структур при выпадении крупных карбидных частиц в сталях, мартенситное превращение при закалке, появление участков эвтектики при пережоге алюминиевых сплавов, накопление дислокаций кристаллической решетки и повреждений в форме микротрещин ( при усталостных испытаниях) вызывает снижение скорости УЗ в материалах. [8]
Так, некоторый вклад в затухание дает теплопроводность среды ( см. выражение (4.12)), однако обычно такое затухание в твердых телах, за исключением металлов, мало. В твердых телах в килогер-цевом диапазоне частот часто наблюдается явление, известное под названием термоупругой релаксации. Оно заключается в появлении тепловых потоков между локальными участками со случайными флуктуациями температуры. Различия в температуре возникают в соседних произвольно ориентированных кристаллических зернах в силу того, что соотношение между напряжением и деформацией в кристаллическом зерне зависит от его ориентации. Тепловое затухание может возникать также на дислокациях кристаллической решетки. Вклад этих эффектов в полное затухание звука также мал. [9]
Однако небольшие ядра не обязательно растут с меньшей скоростью, чем большие ядра. На рис. 3.5 приведено семь случаев роста ядер; кривые 1, 2, 3, 4 и 7 показывают рост ядер типа I, кривые 5 та 6 - рост ядер типа II. Можно заметить, что скорость роста ядер данного типа в конце концов достигает характерного для этого типа значения. Пока неясно, как можно объяснить быстрый рост небольших ядер. Авторы работы [114] считают, что поскольку при дегидратации наблюдается охлаждение-кристаллов, причем температура становится постоянной примерно к тому моменту, когда поверхность кристалла полностью покрывается продуктом, то ядра, образовавшиеся первыми, вполне-могут расти быстрее, когда они еще малы. Другое альтернативное объяснение состоит в том, что ядра, растущие сначала быстрее, образуются в-области дислокаций кристаллической решетки, благодаря чему можно ожидать, что на них дегидратация начинается раньше. [10]
Страницы: 1