Cтраница 1
Дислокация Франка сама скользить не может. Эта реакция энергетически выгодна, так как устраняет дефект упаковки, связанный с дислокацией Франка. [1]
![]() |
Участок шютноупакованной атомной плоскости. [2] |
Иногда в литературе такие дислокации называют дислокацией Франка. [3]
При напряжениях, превосходящих критическое значение, деформация пористого материала осуществляется пороговым механизмом, который связан с действием источников дислокаций Франка - Рида. [4]
![]() |
Зародыши роста Si на подложке Si. Нормаль к поверхности подложки близка к. [5] |
Захлопывание диска вакансий происходит с появлением кольцевой сидячей дислокации Франка. Дислокация Франка обладает высокой энергией. Если в материале имеются шримеси, то они могут мигрировать к дислокациям, снижая энергию дефекта упаковки. Вследствие этого вероятность образования дефекта упаковки в присутствии атмосферы примесей возрастает. При большой скорости роста, когда замуровывается большое число вакансий, плотность дефектов упаковки может быть весьма значительной. [6]
На рис. 37, а показано чередование плотноупакованных слоев 111 после захлопывания диска вакансий. Соответственно линия образующейся дислокации Франка имеет форму шестиугольника. [7]
Дислокация Франка сама скользить не может. Эта реакция энергетически выгодна, так как устраняет дефект упаковки, связанный с дислокацией Франка. [8]
![]() |
Дефекты упаковки вычитания ( а и внедрения ( 6 в г. ц. к. решетке. Ь - - вектор Бюргерса дислокации Франка. [9] |
Ьфа / КЗ, т.е. длина вектора Ьф численно равна расстоянию между плотноупакованными плоскостями. Итак, вектор Ьф не лежит в плоскости плот-нейшей упаковки ( или в плоскости дефекта упаковки), и дислокация Франка не может двигаться скольжением подобно тому, как легко скользит краевая дислокация. Дислокация Франка может перемещаться переползанием при развитых диффузионных процесса. [10]
Ьфа / КЗ, т.е. длина вектора Ьф численно равна расстоянию между плотноупакованными плоскостями. Итак, вектор Ьф не лежит в плоскости плот-нейшей упаковки ( или в плоскости дефекта упаковки), и дислокация Франка не может двигаться скольжением подобно тому, как легко скользит краевая дислокация. Дислокация Франка может перемещаться переползанием при развитых диффузионных процесса. [11]
Это - краевая дислокация ( Ь перпендикулярно линии дислокации), но главная ее особенность состоит в том, что b не лежит в плоскости скольжения. Поэтому такая дислокация не может перемещаться скольжением, и ее движение будет затруднено. Ввиду затрудненности движения дислокации Франка часто называют сидячими дислокациями. [12]
![]() |
Соотношение между пределом текучести и пластичностью высокопрочных сталей. [13] |
Кроме значений cr i, тв, TQ при выборе марки стали учитывают ударную вязкость, сопротивление износу, прокаливаемость. Высокая циклическая прочность стали достигается в том случае, если она оказывает высокое сопротивление зарождению трещин усталости и их развитию. Механизм зарождения усталостной трещины связан с развитием и накоплением в поверхностном слое микропластической деформации. Он основан на движении дислокаций, возможность перемещения которых при напряжениях ниже предела текучести обусловлена анизотропией кристаллов и их случайной ориентацией. Кроме того, для тонких поверхностных слоев ( в 1 - 2 зерна) характерно низкое напряжение работы источников дислокаций Франка - Рида. По этим причинам в мягких ( отожженных) металлах уже на ранней стадии нагружения ( 1 - 5 % от общего числа циклов до разрушения) наблюдаются ранняя микропластическая деформация и повреждение тонких поверхностных слоев. [14]
Под действием сдвигающих напряжений дислокация перемещается вдоль плоскости скольжения. Для перемещения дислокации требуется меньшее касательное напряжение, так как атомы находятся в состоянии неустойчивого равновесия в решетке. Винтовая дислокация заключается в том, что часть кристаллической решетки на некотором протяжении оказывается сдвинутой на один параметр решетки относительно другой. Дислокации зарождаются при кристаллизации металлов и их сплавов, а также образуются в процессе пластической деформации. В процессе пластической деформации дислокации могут образоваться по механизму Франка - Рида. Сущность механизма образования дислокаций Франка - Рида заключается в следующем. Линейная дислокация, зародившаяся при кристаллизации, под действием касательных напряжений выгибается и принимает форму полуокружности. Этому моменту соответствует наибольшее значение касательных напряжений. При дальнейшем выгибании дислокация принимает форму замкнутой кривой ( окружности), внутри которой остается исходная дислокационная линия. Наружная дислокация разрастается до внешней поверхности кристалла, а внутренняя вновь выгибается, порождая новую дислокацию. Препятствием движению дислокаций являются границы блоков и кристаллов. При пластической деформации кристаллы дробятся, увеличивается число блоков и протяженность их границ. Скопление дислокаций затрудняет зарождение новых дислокаций, так как для их генерирования теперь потребуются большие касательные напряжения. [15]